一、芯片封測是什么意思

芯片封測，全稱是芯片封裝測試，芯片封裝測(ce)試(shi)是將生產出(chu)來(lai)的(de)合格晶圓進行(xing)切割、焊線(xian)、塑封，使(shi)芯片電路與外部器(qi)件實現電氣連接，并為芯片提供(gong)機械物理保(bao)護(hu)，并利用集成電路設計企業提供(gong)的(de)測(ce)試(shi)工(gong)具，對封裝完畢的(de)芯片進行(xing)功能(neng)和性能(neng)測(ce)試(shi)。

二、芯片封測有技術含量嗎

芯片的生(sheng)產(chan)(chan)過程嚴格意義上來講分為了三步，設計(ji)、生(sheng)產(chan)(chan)和封測(ce)，每一步都是非(fei)常重(zhong)要的，生(sheng)產(chan)(chan)出(chu)的晶圓(yuan)，如果(guo)沒有經歷封測(ce)這(zhe)一步驟，那么(me)就是個半(ban)成品(pin)，根本無法使用。

芯片(pian)(pian)封測有一定的(de)(de)技術含(han)量(liang)，但(dan)相(xiang)對于(yu)芯片(pian)(pian)設計和芯片(pian)(pian)制造來(lai)(lai)說(shuo)，技術含(han)量(liang)和對技術的(de)(de)要(yao)求較(jiao)低，但(dan)是隨著摩爾定律接近極(ji)限，或許未(wei)來(lai)(lai)將有更先進(jin)的(de)(de)封測技術發展。

三、芯片封測廠商技術布局分析

對于芯片封測廠商來說，發展先(xian)(xian)進封裝(zhuang)技術是(shi)提升芯片(pian)性能的(de)重要(yao)途徑，這就需要(yao)高(gao)密度、大帶寬的(de)先(xian)(xian)進封裝(zhuang)技術提供(gong)硬件(jian)支持，其中需要(yao)的(de)技術主要(yao)有：

1、SiP（系統級封裝技術）

系統級封(feng)(feng)裝（SiP）技(ji)術(shu)(shu)是通過將多個裸片（Die）及無源(yuan)器件整合在(zai)單個封(feng)(feng)裝體(ti)內的集(ji)成電(dian)路(lu)封(feng)(feng)裝技(ji)術(shu)(shu)。在(zai)后摩爾時代，系統級封(feng)(feng)裝（SiP）技(ji)術(shu)(shu)可以(yi)幫助(zhu)芯片成品增加集(ji)成度、減小(xiao)體(ti)積并降低功耗。

2、RDL（晶圓重布線技術）

RDL（ReDistribution Layer）重布線層，起著XY平面電氣延伸和(he)互聯的(de)作(zuo)用。RDL工藝的(de)出現和(he)演變也和(he)TSV等先(xian)進(jin)封裝其(qi)他工藝一樣，是一個不斷演變與進(jin)化的(de)過程，RDL工藝的(de)誕生(sheng)，已經為(wei)先(xian)進(jin)封裝中的(de)異質集(ji)成提供了操作(zuo)上的(de)基礎。

3、Bumping（晶圓凸點工藝）

Bumping技術通過(guo)在芯(xin)片(pian)表(biao)面(mian)(mian)制作金屬(shu)凸塊(kuai)提(ti)供(gong)芯(xin)片(pian)電氣互連的(de)(de)(de)“點(dian)”接口，反應了先進制程以(yi)“點(dian)替(ti)代線”的(de)(de)(de)發展趨勢，廣泛應用于FC、WLP、CSP、3D等先進封裝(zhuang)。它(ta)提(ti)供(gong)了芯(xin)片(pian)之間、芯(xin)片(pian)和基板之間的(de)(de)(de)“點(dian)連接”，由于避免了傳統(tong)Wire Bonding向四周(zhou)輻射的(de)(de)(de)金屬(shu)“線連接”，減小了芯(xin)片(pian)面(mian)(mian)積（封裝(zhuang)效(xiao)率(lv)100%），此外凸塊(kuai)陣列在芯(xin)片(pian)表(biao)面(mian)(mian)，引腳密度可以(yi)做得很高，便于滿足芯(xin)片(pian)性能提(ti)升(sheng)的(de)(de)(de)需(xu)求(qiu)

4、Fan-in/out（扇入/扇出式封裝）

扇出（Fan-Out）的(de)(de)概念是相對于(yu)扇入（Fan-In）而言的(de)(de)，兩(liang)者都遵循類似的(de)(de)工藝流程。當芯(xin)片被(bei)加工切割(ge)完畢(bi)之(zhi)后(hou)，會放置在(zai)基于(yu)環(huan)氧樹脂模(mo)制化合物(wu)的(de)(de)晶圓上，這被(bei)稱(cheng)為重構晶圓。然后(hou)，在(zai)模(mo)制化合物(wu)上形成再分布層（RDL）。