一、芯片封測是什么意思

芯片封測，全稱是芯片封裝測試，芯片封裝測(ce)試是(shi)將生(sheng)產(chan)出(chu)來的合(he)格晶圓進(jin)行切割、焊(han)線、塑封(feng)，使芯片(pian)電路與外(wai)部器件實現電氣連接(jie)，并為芯片(pian)提(ti)供(gong)(gong)機械物理保護，并利(li)用集成電路設(she)計(ji)企(qi)業提(ti)供(gong)(gong)的測(ce)試工具，對封(feng)裝完畢的芯片(pian)進(jin)行功能(neng)(neng)和性能(neng)(neng)測(ce)試。

二、芯片封測有技術含量嗎

芯片的(de)生(sheng)產過(guo)程嚴(yan)格意義上來(lai)講(jiang)分為(wei)了(le)三(san)步，設計、生(sheng)產和(he)封(feng)測(ce)，每(mei)一步都是(shi)非常重要的(de)，生(sheng)產出的(de)晶圓，如(ru)果沒(mei)有經歷封(feng)測(ce)這一步驟(zou)，那么就是(shi)個(ge)半成品(pin)，根(gen)本(ben)無法使(shi)用(yong)。

芯片封測有一定(ding)的(de)技(ji)術含(han)量，但相對于芯片設計和芯片制造來說，技(ji)術含(han)量和對技(ji)術的(de)要求較低，但是隨著摩(mo)爾定(ding)律接近極限(xian)，或許未來將有更先(xian)進的(de)封測技(ji)術發展。

三、芯片封測廠商技術布局分析

對于芯片封測廠商來(lai)說，發展先進(jin)封(feng)裝(zhuang)技(ji)術是提(ti)升芯片性能的(de)重要途徑，這就需(xu)(xu)要高(gao)密度、大帶寬的(de)先進(jin)封(feng)裝(zhuang)技(ji)術提(ti)供硬件支持，其中需(xu)(xu)要的(de)技(ji)術主要有：

1、SiP（系統級封裝技術）

系統級封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)（SiP）技(ji)術是通(tong)過(guo)將多個(ge)裸片（Die）及(ji)無源器件整合(he)在(zai)單個(ge)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體內的集(ji)成(cheng)(cheng)電路封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)技(ji)術。在(zai)后摩爾(er)時代，系統級封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)（SiP）技(ji)術可以幫助芯片成(cheng)(cheng)品增加集(ji)成(cheng)(cheng)度、減小(xiao)體積(ji)并降(jiang)低(di)功耗。

2、RDL（晶圓重布線技術）

RDL（ReDistribution Layer）重(zhong)布線層，起著XY平面電氣延伸和(he)互聯(lian)的(de)(de)(de)(de)作用(yong)。RDL工藝的(de)(de)(de)(de)出現和(he)演(yan)變(bian)也(ye)和(he)TSV等先(xian)進(jin)(jin)封裝其(qi)他工藝一樣，是一個不斷演(yan)變(bian)與進(jin)(jin)化(hua)的(de)(de)(de)(de)過程，RDL工藝的(de)(de)(de)(de)誕生，已經為先(xian)進(jin)(jin)封裝中的(de)(de)(de)(de)異質(zhi)集成提供了操(cao)作上的(de)(de)(de)(de)基礎。

3、Bumping（晶圓凸點工藝）

Bumping技術通過在芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)表面(mian)(mian)制作金屬凸(tu)塊(kuai)提(ti)供(gong)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)電氣互連(lian)的(de)“點(dian)”接(jie)(jie)口(kou)，反應了(le)先進制程(cheng)以“點(dian)替代線”的(de)發(fa)展趨勢，廣(guang)泛(fan)應用于(yu)FC、WLP、CSP、3D等先進封裝(zhuang)。它提(ti)供(gong)了(le)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)之間(jian)、芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)和基(ji)板之間(jian)的(de)“點(dian)連(lian)接(jie)(jie)”，由于(yu)避(bi)免(mian)了(le)傳統Wire Bonding向四周輻射的(de)金屬“線連(lian)接(jie)(jie)”，減小了(le)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)面(mian)(mian)積（封裝(zhuang)效(xiao)率100%），此外(wai)凸(tu)塊(kuai)陣列在芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)表面(mian)(mian)，引腳密度可以做得很高，便于(yu)滿足芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)性能提(ti)升的(de)需求

4、Fan-in/out（扇入/扇出式封裝）

扇出（Fan-Out）的(de)概念是相對于扇入（Fan-In）而言的(de)，兩者都遵循類似(si)的(de)工藝(yi)流(liu)程。當芯片被加工切割完(wan)畢(bi)之后(hou)，會放(fang)置在(zai)基于環氧(yang)樹脂模制化合物(wu)的(de)晶圓(yuan)上，這被稱為(wei)重(zhong)構晶圓(yuan)。然后(hou)，在(zai)模制化合物(wu)上形成(cheng)再(zai)分布層（RDL）。