一、硅片清洗的目標是什么
半(ban)導體器件(jian)生產中硅片(pian)須經(jing)嚴(yan)格清洗(xi)。微量污染也會導致(zhi)器件(jian)失(shi)效(xiao)。那么(me)硅片(pian)清洗(xi)的目(mu)標(biao)是什么(me)呢？
硅片清洗的目的在于清除(chu)表面(mian)污染(ran)雜質(zhi)，包括有(you)機(ji)物(wu)和無機(ji)物(wu)。這些(xie)雜質(zhi)有(you)的以原子(zi)狀態(tai)(tai)或離子(zi)狀態(tai)(tai)，有(you)的以薄(bo)膜(mo)形(xing)式或顆粒形(xing)式存(cun)在于硅片(pian)表面(mian)。會導致各種(zhong)缺(que)陷(xian)。
二、硅片清洗的方法有哪些
硅片(pian)清(qing)(qing)除污染的方(fang)法有物(wu)理清(qing)(qing)洗(xi)(xi)和化學清(qing)(qing)洗(xi)(xi)兩種。
1、化(hua)(hua)(hua)(hua)學清洗(xi)是為(wei)了除去(qu)原子(zi)、離子(zi)不可見的(de)(de)(de)污染(ran)(ran)，方(fang)法(fa)較多(duo)，有溶(rong)劑萃取、酸(suan)洗(xi)（硫(liu)酸(suan)、硝酸(suan)、王(wang)水、各種混合酸(suan)等）和(he)等離子(zi)體(ti)法(fa)等。其中雙氧(yang)(yang)水體(ti)系清洗(xi)方(fang)法(fa)效果好(hao)，環境污染(ran)(ran)小(xiao)。一般方(fang)法(fa)是將(jiang)硅片先(xian)用(yong)成分比為(wei)H2SO4:H2O2=5:1或(huo)4:1的(de)(de)(de)酸(suan)性(xing)(xing)液(ye)清洗(xi)。清洗(xi)液(ye)的(de)(de)(de)強氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)性(xing)(xing)，將(jiang)有機物(wu)分解而(er)除去(qu)；用(yong)超純(chun)水沖洗(xi)后，再用(yong)成分比為(wei)H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或(huo)5:1:1或(huo)7:2:1的(de)(de)(de)堿性(xing)(xing)清洗(xi)液(ye)清洗(xi)，由于H2O2的(de)(de)(de)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)作(zuo)(zuo)用(yong)和(he)NH4OH的(de)(de)(de)絡(luo)合作(zuo)(zuo)用(yong)，許多(duo)金屬離子(zi)形成穩定的(de)(de)(de)可溶(rong)性(xing)(xing)絡(luo)合物(wu)而(er)溶(rong)于水；然后使(shi)用(yong)成分比為(wei)H2O:H2O2:HCL=7:2:1或(huo)5:2:1的(de)(de)(de)酸(suan)性(xing)(xing)清洗(xi)液(ye)，由于H2O2的(de)(de)(de)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)作(zuo)(zuo)用(yong)和(he)鹽酸(suan)的(de)(de)(de)溶(rong)解，以(yi)及氯離子(zi)的(de)(de)(de)絡(luo)合性(xing)(xing)，許多(duo)金屬生成溶(rong)于水的(de)(de)(de)絡(luo)離子(zi)，從而(er)達到清洗(xi)的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)。
放射(she)示蹤原(yuan)子分析(xi)(xi)和質譜分析(xi)(xi)表(biao)明，采用(yong)(yong)雙氧水體(ti)系清(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)硅(gui)(gui)片效果最好，同時(shi)所用(yong)(yong)的全(quan)部化學(xue)試劑(ji)H2O2、NH4OH、HCl能夠(gou)完全(quan)揮發掉。用(yong)(yong)H2SO4和H2O2清(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)硅(gui)(gui)片時(shi)，在硅(gui)(gui)片表(biao)面會留下約2×1010原(yuan)子每平方厘米的硫原(yuan)子，用(yong)(yong)后一種酸(suan)性清(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)液(ye)時(shi)可以完全(quan)被(bei)清(qing)(qing)除。用(yong)(yong)H2O2體(ti)系清(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)硅(gui)(gui)片無殘留物，有害性小，也有利于工人健康和環境保(bao)護。硅(gui)(gui)片清(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)中(zhong)用(yong)(yong)各步清(qing)(qing)洗(xi)(xi)(xi)(xi)液(ye)處理后，都要用(yong)(yong)超(chao)純水徹(che)底沖洗(xi)(xi)(xi)(xi)。
2、物理清洗有三種方(fang)法。
（1）刷洗(xi)或擦(ca)洗(xi)：可除去顆粒污染和(he)大多數(shu)粘在(zai)片子(zi)上(shang)的(de)薄膜(mo)。
（2）高壓清(qing)洗：是用液體噴射片子(zi)(zi)表(biao)面，噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓。高壓清(qing)洗靠(kao)噴射作用，片子(zi)(zi)不易產生(sheng)(sheng)劃痕和損(sun)傷。但高壓噴射會產生(sheng)(sheng)靜電(dian)作用，靠(kao)調節(jie)噴嘴到片子(zi)(zi)的距離(li)、角度或(huo)加入防靜電(dian)劑加以(yi)避免。
（3）超聲波(bo)清洗：超聲波(bo)聲能傳入溶液，靠氣蝕(shi)作(zuo)用洗掉片子上(shang)的(de)(de)污(wu)染。但(dan)是，從有圖形的(de)(de)片子上(shang)除(chu)去小(xiao)于1微(wei)米顆粒則比(bi)較困難。將(jiang)頻(pin)(pin)率提(ti)高到超高頻(pin)(pin)頻(pin)(pin)段，清洗效果(guo)更(geng)好。
