一、靶材的分類有哪些

1、根據不同材質劃分

（1）金屬靶材

鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ni、鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ti、鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Zn、鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cr、鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Mg、鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Nb、錫靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Sn、鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Al、銦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)In、鐵靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Fe、鋯(gao)(gao)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)ZrAl、鈦鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)TiAl、鋯(gao)(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Zr、鋁(lv)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)AlSi、硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Si、銅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cu、鉭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ta、鍺靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ge、銀靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ag、鈷(gu)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Co、金(jin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Au、釓(ga)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Gd、鑭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)La、釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Y、鈰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ce、不(bu)銹鋼靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鎳鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)NiCr、鉿靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Hf、鉬靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Mo、鐵鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)FeNi、鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、W等。

（2）陶瓷靶材

ITO靶(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鐵靶(ba)(ba)(ba)(ba)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)、碳化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)、硫化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)、二氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)、一(yi)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈰(shi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)、二氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)、五(wu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二鈮靶(ba)(ba)(ba)(ba)、二氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)、二氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)，、二氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉿靶(ba)(ba)(ba)(ba)，二硼化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)，二硼化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)，三氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)，三氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)五(wu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二鉭，五(wu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二鈮靶(ba)(ba)(ba)(ba)、氟(fu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)、氟(fu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)釔(yi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)、硒(xi)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)，氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)，氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硼靶(ba)(ba)(ba)(ba)，氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)，碳化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)，鈮酸鋰靶(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦酸鐠(pu)靶(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦酸鋇靶(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦酸鑭靶(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)、濺(jian)射靶(ba)(ba)(ba)(ba)材等。

（3）合金靶材

鐵鈷靶(ba)(ba)(ba)FeCo、鋁硅靶(ba)(ba)(ba)AlSi、鈦硅靶(ba)(ba)(ba)TiSi、鉻(ge)硅靶(ba)(ba)(ba)CrSi、鋅鋁靶(ba)(ba)(ba)ZnAl、鈦鋅靶(ba)(ba)(ba)材(cai)TiZn、鈦鋁靶(ba)(ba)(ba)TiAl、鈦鋯靶(ba)(ba)(ba)TiZr、鈦硅靶(ba)(ba)(ba)TiSi、鈦鎳(nie)(nie)靶(ba)(ba)(ba)TiNi、鎳(nie)(nie)鉻(ge)靶(ba)(ba)(ba)NiCr、鎳(nie)(nie)鋁靶(ba)(ba)(ba)NiAl、鎳(nie)(nie)釩靶(ba)(ba)(ba)NiV、鎳(nie)(nie)鐵靶(ba)(ba)(ba)NiFe等(deng)。

2、根據不同應用方向劃分

（1）半導體關聯靶材

電(dian)極、布線薄膜(mo)：鋁靶(ba)材(cai)(cai)，銅靶(ba)材(cai)(cai)，金靶(ba)材(cai)(cai)，銀靶(ba)材(cai)(cai)，鈀(ba)靶(ba)材(cai)(cai)，鉑靶(ba)材(cai)(cai)，鋁硅(gui)合(he)金靶(ba)材(cai)(cai)，鋁硅(gui)銅合(he)金靶(ba)材(cai)(cai)等。

儲(chu)存器電極薄膜：鉬靶(ba)(ba)材，鎢靶(ba)(ba)材，鈦靶(ba)(ba)材等。

粘附薄膜(mo)：鎢(wu)靶材，鈦靶材等。

電容器絕(jue)緣膜薄(bo)膜：鋯鈦酸(suan)鉛靶材等(deng)。

（2）磁記錄靶材

垂直磁記錄薄(bo)膜(mo)：鈷鉻(ge)合(he)金靶材等。

硬盤用薄膜：鈷(gu)(gu)鉻(ge)鉭合(he)金(jin)靶(ba)(ba)材(cai)，鈷(gu)(gu)鉻(ge)鉑(bo)合(he)金(jin)靶(ba)(ba)材(cai)，鈷(gu)(gu)鉻(ge)鉭鉑(bo)合(he)金(jin)靶(ba)(ba)材(cai)等。

薄膜磁頭(tou)：鈷(gu)鉭鉻合金靶材，鈷(gu)鉻鋯合金靶材等(deng)。

人工晶體薄膜：鈷鉑合(he)金靶材，鈷鈀合(he)金靶材等。

（3）光記錄靶材

相變光盤記錄薄膜：硒化(hua)碲(di)靶(ba)材，硒化(hua)銻靶(ba)材，鍺(zang)銻碲(di)合(he)金(jin)靶(ba)材，鍺(zang)碲(di)合(he)金(jin)靶(ba)材等(deng)。

磁光盤(pan)記錄(lu)薄膜：鏑鐵(tie)鈷(gu)合金靶(ba)(ba)材(cai)，鋱鏑鐵(tie)合金靶(ba)(ba)材(cai)，鋱鐵(tie)鈷(gu)合金靶(ba)(ba)材(cai)，氧化(hua)(hua)鋁靶(ba)(ba)材(cai)，氧化(hua)(hua)鎂靶(ba)(ba)材(cai)，氮化(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)材(cai)等。

該圖片由注冊用戶"天空之城"提供，版權聲明反饋

二、靶材的性能和指標

靶(ba)材(cai)制約著濺鍍(du)薄(bo)膜的物理，力學性(xing)能，影響鍍(du)膜質量，因而要求靶(ba)材(cai)的制備應(ying)滿足以下(xia)要求：

1、純(chun)度(du)(du)：要(yao)求(qiu)(qiu)雜(za)質含量低純(chun)度(du)(du)高(gao)，靶(ba)材的純(chun)度(du)(du)影(ying)響(xiang)薄膜的均勻性，以(yi)(yi)(yi)純(chun)Al靶(ba)為例，純(chun)度(du)(du)越高(gao)，濺(jian)射Al膜的耐蝕性及(ji)電(dian)學、光學性能越好。不(bu)(bu)過不(bu)(bu)同(tong)用(yong)(yong)途的靶(ba)材對(dui)純(chun)度(du)(du)要(yao)求(qiu)(qiu)也不(bu)(bu)同(tong)，一般(ban)工業用(yong)(yong)靶(ba)材純(chun)度(du)(du)要(yao)求(qiu)(qiu)不(bu)(bu)高(gao)，但(dan)就半導體、顯示(shi)器件等領域(yu)用(yong)(yong)靶(ba)材對(dui)純(chun)度(du)(du)要(yao)求(qiu)(qiu)是(shi)十(shi)分(fen)嚴(yan)格的，磁性薄膜用(yong)(yong)靶(ba)材對(dui)純(chun)度(du)(du)的要(yao)求(qiu)(qiu)一般(ban)為99.9%以(yi)(yi)(yi)上，ITO中(zhong)的氧化(hua)(hua)銦(yin)以(yi)(yi)(yi)及(ji)氧化(hua)(hua)錫的純(chun)度(du)(du)則要(yao)求(qiu)(qiu)不(bu)(bu)低于99.99%。

2、雜(za)質(zhi)含(han)量(liang)：靶材(cai)作為(wei)濺射(she)(she)中(zhong)(zhong)的(de)陰極(ji)源(yuan)，固體(ti)中(zhong)(zhong)的(de)雜(za)質(zhi)和氣孔(kong)中(zhong)(zhong)的(de)O2和H2O是沉(chen)積(ji)薄膜的(de)主要污染源(yuan)，不同用途(tu)的(de)靶材(cai)對(dui)(dui)單個雜(za)質(zhi)含(han)量(liang)的(de)要求(qiu)也不同，如：半導(dao)體(ti)電(dian)極(ji)布(bu)線用的(de)W，Mo，Ti等(deng)靶材(cai)對(dui)(dui)U，Th等(deng)放(fang)射(she)(she)性(xing)元素的(de)含(han)量(liang)要求(qiu)低于3*10-9，光(guang)盤反射(she)(she)膜用的(de)Al合金靶材(cai)則要求(qiu)O2的(de)含(han)量(liang)低于2*10-4。

3、高(gao)致(zhi)(zhi)密(mi)度(du)：為了減(jian)少靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)中(zhong)的氣(qi)孔，提高(gao)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)的性能一(yi)般要(yao)求靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)具有(you)較高(gao)的致(zhi)(zhi)密(mi)度(du)，靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)的致(zhi)(zhi)密(mi)度(du)不僅影響濺(jian)射(she)時的沉積速(su)率(lv)(lv)、濺(jian)射(she)膜(mo)(mo)(mo)粒(li)子的密(mi)度(du)和(he)放(fang)電現象(xiang)等(deng)，還影響濺(jian)射(she)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)的電學(xue)和(he)光學(xue)性能。致(zhi)(zhi)密(mi)性越好，濺(jian)射(she)膜(mo)(mo)(mo)粒(li)子的密(mi)度(du)越低(di)，放(fang)電現象(xiang)越弱。高(gao)致(zhi)(zhi)密(mi)度(du)靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)具有(you)導電、導熱性好，強度(du)高(gao)等(deng)優點，使用(yong)這種靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)鍍膜(mo)(mo)(mo)，濺(jian)射(she)功率(lv)(lv)小，成膜(mo)(mo)(mo)速(su)率(lv)(lv)高(gao)，薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)不易開裂，靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)的使用(yong)壽命長，且濺(jian)鍍薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)的電阻率(lv)(lv)低(di)，透光率(lv)(lv)高(gao)。靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)的致(zhi)(zhi)密(mi)度(du)主要(yao)取決于(yu)制(zhi)備工藝(yi)。一(yi)般而言(yan)，鑄(zhu)造靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)的致(zhi)(zhi)密(mi)度(du)高(gao)而燒結靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)的致(zhi)(zhi)密(mi)度(du)相(xiang)對較低(di)，因此提高(gao)靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)的致(zhi)(zhi)密(mi)度(du)是燒結制(zhi)備靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)的技術關鍵之(zhi)一(yi)。

4、成(cheng)分與組織結構均(jun)(jun)勻，靶材(cai)成(cheng)分均(jun)(jun)勻是鍍膜質量(liang)穩定的(de)重要保證，尤其(qi)是對于復相結構的(de)合金靶材(cai)和混合靶材(cai)。如ITO，為(wei)了保證膜質量(liang)，要求(qiu)靶中In2O3-SnO2組成(cheng)均(jun)(jun)勻，都為(wei)93：7或91：9（分子比）。

5、晶粒尺寸細小，靶材的(de)晶粒尺寸(cun)越(yue)(yue)(yue)細小，濺鍍薄(bo)膜的(de)厚(hou)度分(fen)布越(yue)(yue)(yue)均勻，濺射速率越(yue)(yue)(yue)快。