芯片制作流程

1、濕洗

用各(ge)種試劑保持硅晶圓表面沒(mei)有雜質。

2、光刻

用紫外線透過蒙(meng)版照(zhao)射硅晶(jing)圓，被(bei)照(zhao)到的(de)地方就會容易被(bei)洗掉，沒(mei)被(bei)照(zhao)到的(de)地方就保持(chi)原樣. 于是就可以在硅晶(jing)圓上(shang)面刻出想要的(de)圖案(an). 注(zhu)意，此時還沒(mei)有加(jia)入(ru)雜(za)質，依然是一個硅晶(jing)圓。

3、 離子注入

在(zai)硅晶(jing)圓(yuan)不同(tong)(tong)的(de)位(wei)置加入不同(tong)(tong)的(de)雜質(zhi)，不同(tong)(tong)雜質(zhi)根據濃度/位(wei)置的(de)不同(tong)(tong)就組成了(le)場效應(ying)管(guan)。

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4、蝕刻

（1）干蝕(shi)(shi)刻(ke) ：之前用(yong)光刻(ke)出來的形(xing)狀有(you)許多其實不是(shi)(shi)我們需(xu)要的，而是(shi)(shi)為了離子注入而蝕(shi)(shi)刻(ke)的。現(xian)在就(jiu)要用(yong)等離子體把他們洗(xi)掉，或(huo)者是(shi)(shi)一(yi)些第(di)一(yi)步(bu)光刻(ke)先不需(xu)要刻(ke)出來的結(jie)構，這一(yi)步(bu)進行蝕(shi)(shi)刻(ke)。

（2）濕蝕(shi)刻(ke) ：進(jin)一(yi)步洗(xi)掉(diao)，但是用的是試劑，所以(yi)(yi)(yi)叫濕蝕(shi)刻(ke)。以(yi)(yi)(yi)上步驟完成(cheng)后，場(chang)效應管就已(yi)經被(bei)做出來啦，但是以(yi)(yi)(yi)上步驟一(yi)般都不止(zhi)做一(yi)次，很可能需要反反復(fu)復(fu)的做，以(yi)(yi)(yi)達到要求。

5、等離子沖洗

用較(jiao)弱的等(deng)離子束轟(hong)擊(ji)整個芯片。

6、熱處理

（1）快(kuai)速熱退火：就是瞬間把整個片子(zi)通過大功率燈啥的(de)照(zhao)到1200攝氏度(du)以(yi)上，然后(hou)慢慢地冷卻(que)下來，為了(le)使(shi)得注入(ru)的(de)離子(zi)能更好的(de)被啟動以(yi)及(ji)熱氧(yang)化(hua)。

（2）退火。

（3）熱氧化(hua)(hua) ：制造(zao)出二氧化(hua)(hua)硅，也即場效(xiao)應管的柵極(gate) 。

7、化學氣相淀積

進(jin)一步精細處理(li)表面的各種(zhong)物質。

8、物理氣相淀積

類(lei)似(si)，而且可以給敏感部件加coating。

9、分子束外延

如果需要長單晶的話就需要。

10、電鍍處理

11、化學/機械表面處理

12、晶圓測試

13、晶圓打磨

14、出廠封裝

芯片和集成電路的區別

1、定義不同

（1）集成電路是指(zhi)組成電(dian)路的有源器件(jian)、無源元件(jian)及其(qi)互連一起制作(zuo)在半導體襯底(di)上或絕緣基(ji)片上，形成結(jie)構上緊(jin)密聯系的、內部相關的事例電(dian)子電(dian)路。它可分為半導體集成電(dian)路、膜集成電(dian)路、混(hun)合集成電(dian)路三個主要分支。

（2）芯(xin)片就是半導體元件產品的統稱，是集成電路的載(zai)體，由晶(jing)圓分割而成。

2、范圍不同

（1）芯片(pian)就是(shi)芯片(pian)，一般是(shi)指你肉眼能(neng)夠看到的(de)長滿(man)了很多(duo)小腳(jiao)(jiao)的(de)或者腳(jiao)(jiao)看不到，但是(shi)很明顯(xian)的(de)方形的(de)那塊東(dong)西。不過，芯片(pian)也包括各種各樣的(de)芯片(pian)，比如(ru)基帶的(de)、電壓(ya)轉換(huan)的(de)等等。

（2）集成電路(lu)范圍要(yao)廣(guang)多了，把(ba)一些電阻電容二極管集成到一起就算是(shi)集成電路(lu)了，可能是(shi)一塊模擬信(xin)號轉換的(de)(de)芯片，也可能是(shi)一塊邏輯控制的(de)(de)芯片，但(dan)是(shi)總得來(lai)說，這個概念更加(jia)偏向于底層的(de)(de)東西。