芯片制作流程
1、濕洗
用各種試劑保持(chi)硅晶圓表面沒有雜質(zhi)。
2、光刻
用(yong)紫外線(xian)透過蒙版照射硅(gui)晶圓(yuan),被(bei)照到(dao)的(de)地方就(jiu)(jiu)會容易被(bei)洗(xi)掉,沒(mei)被(bei)照到(dao)的(de)地方就(jiu)(jiu)保持原(yuan)樣. 于是(shi)就(jiu)(jiu)可以在硅(gui)晶圓(yuan)上面刻出(chu)想要的(de)圖案. 注意,此(ci)時還沒(mei)有(you)加入雜質,依然(ran)是(shi)一個硅(gui)晶圓(yuan)。
3、 離子注入
在硅晶圓不同的(de)位(wei)置加(jia)入不同的(de)雜質,不同雜質根據濃度(du)/位(wei)置的(de)不同就(jiu)組(zu)成了場效應管。
4、蝕刻
(1)干蝕(shi)刻(ke)(ke) :之前用(yong)(yong)光刻(ke)(ke)出來的形(xing)狀(zhuang)有許(xu)多(duo)其實(shi)不(bu)是我們(men)需要的,而是為了離子注入而蝕(shi)刻(ke)(ke)的。現在(zai)就要用(yong)(yong)等離子體把他們(men)洗掉,或者是一(yi)(yi)些第一(yi)(yi)步(bu)光刻(ke)(ke)先不(bu)需要刻(ke)(ke)出來的結構,這(zhe)一(yi)(yi)步(bu)進行蝕(shi)刻(ke)(ke)。
(2)濕蝕刻 :進一步(bu)洗掉,但是用(yong)的是試(shi)劑,所以(yi)叫濕蝕刻。以(yi)上步(bu)驟完成(cheng)后,場效應(ying)管就已經被做(zuo)出來啦,但是以(yi)上步(bu)驟一般都(dou)不止做(zuo)一次,很可能需要反反復復的做(zuo),以(yi)達到要求。
5、等離子沖洗
用較弱的(de)等離子束轟擊整個芯片。
6、熱處理
(1)快速熱(re)(re)退火:就是瞬間把整個片子(zi)通過大功率(lv)燈啥的照到1200攝(she)氏度(du)以上(shang),然后(hou)慢慢地冷(leng)卻下來(lai),為(wei)了使得注入(ru)的離子(zi)能更好(hao)的被啟動以及熱(re)(re)氧化。
(2)退火。
(3)熱氧化(hua) :制造(zao)出二氧化(hua)硅(gui),也即場效應管的柵(zha)極(gate) 。
7、化學氣相淀積
進一步精細處(chu)理表(biao)面(mian)的各種物質。
8、物理氣相淀積
類似,而且可以給敏(min)感部件加coating。
9、分子束外延
如(ru)果(guo)需要(yao)長單晶(jing)的話(hua)就需要(yao)。
10、電鍍處理
11、化學/機械表面處理
12、晶圓測試
13、晶圓打磨
14、出廠封裝
芯片和集成電路的區別
1、定義不同
(1)集成電路是指組(zu)成電(dian)路(lu)的有源器件、無源元件及其互連一起制(zhi)作在半導(dao)體(ti)襯底上(shang)或絕緣(yuan)基片上(shang),形成結構(gou)上(shang)緊密聯系的、內部相關的事例電(dian)子電(dian)路(lu)。它可(ke)分為半導(dao)體(ti)集(ji)成電(dian)路(lu)、膜集(ji)成電(dian)路(lu)、混合集(ji)成電(dian)路(lu)三個主(zhu)要分支。
(2)芯(xin)片就(jiu)是半導體元件(jian)產品的(de)統稱,是集(ji)成電(dian)路的(de)載體,由(you)晶圓分割而成。
2、范圍不同
(1)芯(xin)片(pian)就是(shi)芯(xin)片(pian),一(yi)般是(shi)指(zhi)你肉眼能(neng)夠(gou)看到的(de)長滿了很(hen)(hen)多小(xiao)腳(jiao)的(de)或者腳(jiao)看不到,但(dan)是(shi)很(hen)(hen)明顯的(de)方形的(de)那塊東(dong)西。不過,芯(xin)片(pian)也包(bao)括各(ge)種各(ge)樣的(de)芯(xin)片(pian),比如(ru)基帶的(de)、電壓轉換的(de)等(deng)(deng)等(deng)(deng)。
(2)集成電(dian)路范圍要廣多了,把一(yi)些電(dian)阻電(dian)容(rong)二極管(guan)集成到一(yi)起(qi)就算是集成電(dian)路了,可(ke)能是一(yi)塊模(mo)擬信號轉換(huan)的(de)芯片,也可(ke)能是一(yi)塊邏(luo)輯控制的(de)芯片,但是總得來說,這個概念(nian)更加偏向于底層的(de)東西。
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