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ITO濺射靶材的制作方法 ITO濺射靶材生產難點

本文章由注冊用戶 天空之城 上傳提供 2023-09-17 評論 0
摘要:ITO靶材是一種貴金屬材料,是在高溫氣氛燒結形成的黑灰色陶瓷半導體。ITO靶材主要有四種成型方法,分別是真空熱壓法、熱等靜壓法、常壓燒結法、冷等靜壓法。下面就來了解下ITO濺射靶材的制作方法以及ITO濺射靶材生產難點。

一、ITO濺射靶材的制作方法

1、真空熱壓

真空熱壓利用熱能和機械能對ITO粉體進行致密化,可生產出密度為91%~96%的高密度ITO陶瓷靶材。該方法可以輕松獲得接近預期密度且孔隙率接近于零的ITO靶材。但受設備和模具尺寸的限制,真空熱壓在制備大尺寸濺射靶材方面優勢較小。

2、熱等靜壓

熱等(deng)靜壓(ya)(HIP)通過(guo)在壓(ya)力下(xia)燒結(jie)或在高(gao)溫下(xia)加(jia)壓(ya)來制備ITO濺(jian)射靶。與(yu)真空熱壓(ya)類似,HIP在加(jia)熱和(he)加(jia)壓(ya)狀態下(xia)可以獲(huo)得高(gao)密(mi)度(幾乎是理論密(mi)度)和(he)優(you)異的(de)物理和(he)機械性能(neng)的(de)產品。但也(ye)受設備壓(ya)力和(he)氣缸(gang)尺寸(cun)的(de)限制。

3、常溫燒結

室(shi)溫燒結(jie)(jie)是先通過(guo)漿料澆(jiao)注(zhu)或預(yu)壓制(zhi)備高密度靶(ba)材(cai)預(yu)制(zhi)件,然后在一定氣氛(fen)和溫度下燒結(jie)(jie)得到ITO靶(ba)材(cai)。其最大(da)的優勢(shi)在于能夠生產大(da)尺寸的濺(jian)射靶(ba)材(cai)。但與其他(ta)燒結(jie)(jie)方法(fa)相比,這種方法(fa)制(zhi)成的靶(ba)材(cai)純度較低。

4、冷等靜壓

冷等靜壓(CIP)在常溫(wen)下(xia)以(yi)橡膠(jiao)或塑料為(wei)覆(fu)膜材料,以(yi)液體為(wei)壓力介質(zhi)傳遞超(chao)高(gao)壓。CIP還(huan)可以(yi)制備(bei)更大(da)尺(chi)寸的ITO濺射靶材。而(er)且價格便宜,適合大(da)批量生產。但(dan)CIP要求材料在0.1~0.9MPa的純氧(yang)環境中經過(guo)1500~1600°C的高(gao)溫(wen)燒結,具有較高(gao)的風險。

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二、ITO濺射靶材生產難點

1、粉末制備

粉末(mo)冶金(jin)最核心(xin)的競(jing)爭力就是粉體,能(neng)夠獨立生(sheng)產(chan)高品質穩定的粉體的公司,會在未來占有(you)一(yi)席之地(di)。

2、大尺寸燒結工藝

ITO靶材的(de)另(ling)一個(ge)難點就是燒結(jie)(jie)(jie)(jie)工藝(yi),精準的(de)燒結(jie)(jie)(jie)(jie)工藝(yi)是燒結(jie)(jie)(jie)(jie)高品質靶材的(de)關鍵。燒結(jie)(jie)(jie)(jie)工藝(yi)細分為真空熱(re)壓(ya)(ya)(ya)法(fa)、熱(re)等靜壓(ya)(ya)(ya)法(fa)、常壓(ya)(ya)(ya)燒結(jie)(jie)(jie)(jie)法(fa)。目前(qian)高端顯(xian)示器用(yong)(yong)鍍(du)膜靶材主要采用(yong)(yong)常壓(ya)(ya)(ya)燒結(jie)(jie)(jie)(jie)法(fa),性價比高。

3、成本投入較大

ITO生產(chan)中需要(yao)使(shi)用非常多的大型設(she)備(bei)(bei),如(ru)冷壓機(ji),大型模壓機(ji),燒(shao)結爐,加工設(she)備(bei)(bei)及綁(bang)定設(she)備(bei)(bei),每一項(xiang)的投入都(dou)非常大。整廠(chang)的設(she)備(bei)(bei)投入預計(ji)在5000萬以(yi)上(年產(chan)50噸(dun)),且(qie)因為是能(neng)耗大戶,日常的能(neng)源消耗也是非常可(ke)觀的,運(yun)營維護成本也比較高。

4、產品的驗證

如何能(neng)夠自(zi)主的驗(yan)證產品(pin)是否(fou)符合客(ke)戶(hu)的使用需求,是產品(pin)能(neng)否(fou)一次通過客(ke)戶(hu)驗(yan)證并且順利導入(ru)生產的關鍵因素,所以企業自(zi)己配套綁定(ding)檢測(ce)設備及鍍膜機就是保證。

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