一、太陽能硅片是什么材料
太(tai)陽(yang)能(neng)電池分為單(dan)晶(jing)(jing)硅(gui)太(tai)陽(yang)能(neng)電池、多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)薄膜太(tai)陽(yang)能(neng)電池和非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)薄膜太(tai)陽(yang)能(neng)電池三種。
1、單質硅的一種形態。熔(rong)融(rong)的(de)單質硅在凝固時(shi)硅原子以金剛石(shi)晶(jing)(jing)格排列成許多(duo)晶(jing)(jing)核(he)，如(ru)果這些(xie)晶(jing)(jing)核(he)長成晶(jing)(jing)面取向相同的(de)晶(jing)(jing)粒(li)(li)，則(ze)這些(xie)晶(jing)(jing)粒(li)(li)平行結合起來便結晶(jing)(jing)成單晶(jing)(jing)硅。
2、多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質(zhi)硅(gui)在過冷條件下(xia)凝固時，硅(gui)原子以金剛石晶(jing)(jing)(jing)格形態排列成(cheng)許多晶(jing)(jing)(jing)核(he)，如這些晶(jing)(jing)(jing)核(he)長成(cheng)晶(jing)(jing)(jing)面取(qu)向不(bu)同的晶(jing)(jing)(jing)粒(li)，則這些晶(jing)(jing)(jing)粒(li)結(jie)合起(qi)來(lai)，就結(jie)晶(jing)(jing)(jing)成(cheng)多晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)。
3、非晶硅。由非晶態合金制備，要獲得非晶態，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態快速淬火的方法目前還無法得到非晶態。近年來，發展了許多種氣相淀積非晶態硅膜的技術，其中包括真空蒸發、輝光放電、濺射及化學氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等(deng)，純(chun)度要求很高。非晶硅(gui)膜的結構和(he)性質與制備(bei)(bei)工(gong)藝(yi)的關系(xi)非常密切，目前認為以輝(hui)光放(fang)電法制備(bei)(bei)的非晶硅(gui)膜質量最(zui)好，設備(bei)(bei)也并不復雜。
二、怎么挑選太陽能硅片
1、首(shou)先看外觀，必須無裂(lie)紋，無硬傷，無孔洞(dong)，無崩(beng)邊。
2、其次看物理(li)(li)指(zhi)標(biao)，物理(li)(li)指(zhi)標(biao)很(hen)多，包括(kuo)晶(jing)向，晶(jing)向偏(pian)差，類(lei)型，厚度(du)(du)，邊長，垂直度(du)(du)等(deng)等(deng)。用(yong)相應的(de)測試儀器確定(ding)類(lei)型，晶(jing)向等(deng)；用(yong)相應測量儀器抽測5點厚度(du)(du)、公差，邊長和(he)對(dui)角線長及公差，垂直度(du)(du)等(deng)，這(zhe)(zhe)里面(mian)對(dui)太陽(yang)能(neng)電(dian)池工藝(yi)來(lai)說，最重要的(de)是硅(gui)片(pian)厚度(du)(du)及厚度(du)(du)變(bian)化（TTV），因為很(hen)多太陽(yang)能(neng)電(dian)池生(sheng)產(chan)線是有硅(gui)片(pian)厚度(du)(du)要求的(de)，低(di)于(yu)起生(sheng)產(chan)最低(di)厚度(du)(du)，碎(sui)(sui)片(pian)率就(jiu)會提高，利潤(run)就(jiu)折(zhe)騰到這(zhe)(zhe)碎(sui)(sui)片(pian)里頭了(le)。另外碳、氧(yang)含量對(dui)硅(gui)片(pian)品(pin)質(zhi)來(lai)說非常重要，一定(ding)要進行抽測，當(dang)然，正常說來(lai)，這(zhe)(zhe)兩個指(zhi)標(biao)不會有問題(ti)，如果(guo)有問題(ti)的(de)話，它們(men)就(jiu)會直接反映在后面(mian)講到的(de)電(dian)學指(zhi)標(biao)中了(le)。
3、最(zui)后看(kan)電學指標(biao)(biao)，主要是少(shao)子(zi)(zi)壽(shou)命(ming)和電阻(zu)率，硅片(pian)的等級(ji)主要通過這(zhe)兩個指標(biao)(biao)確定。比如目(mu)前(qian)A級(ji)的單晶硅片(pian)少(shao)子(zi)(zi)壽(shou)命(ming)要求大于10μs，電阻(zu)率0-6Ω.cm。
