一、太陽能硅片是什么材料
太(tai)陽能電(dian)池分為單晶(jing)硅太(tai)陽能電(dian)池、多晶(jing)硅薄膜(mo)太(tai)陽能電(dian)池和非晶(jing)硅薄膜(mo)太(tai)陽能電(dian)池三(san)種。
1、單質硅的一種形態。熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶(jing)(jing)格排列(lie)成(cheng)許(xu)多晶(jing)(jing)核，如果(guo)這些晶(jing)(jing)核長成(cheng)晶(jing)(jing)面取向相同的晶(jing)(jing)粒，則這些晶(jing)(jing)粒平行結合起來便結晶(jing)(jing)成(cheng)單晶(jing)(jing)硅。
2、多晶硅是單質硅的一種形態。熔(rong)融的單質硅在過(guo)冷條件(jian)下凝固(gu)時，硅原子以金剛石晶(jing)(jing)格形態排(pai)列成許多晶(jing)(jing)核，如這些晶(jing)(jing)核長成晶(jing)(jing)面取向(xiang)不同(tong)的晶(jing)(jing)粒(li)，則這些晶(jing)(jing)粒(li)結(jie)合起(qi)來，就結(jie)晶(jing)(jing)成多晶(jing)(jing)硅。
3、非晶硅。由非晶態合金制備，要獲得非晶態，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態快速淬火的方法目前還無法得到非晶態。近年來，發展了許多種氣相淀積非晶態硅膜的技術，其中包括真空蒸發、輝光放電、濺射及化學氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等，純度(du)要求很高(gao)。非(fei)晶硅(gui)膜(mo)的結構和(he)性(xing)質與制(zhi)備(bei)工(gong)藝的關(guan)系(xi)非(fei)常(chang)密切，目(mu)前認為以輝(hui)光放電法制(zhi)備(bei)的非(fei)晶硅(gui)膜(mo)質量(liang)最好(hao)，設備(bei)也并不復(fu)雜。
二、怎么挑選太陽能硅片
1、首先看外觀，必須無(wu)裂紋，無(wu)硬傷，無(wu)孔洞，無(wu)崩邊。
2、其次(ci)看(kan)物理(li)指(zhi)標(biao)，物理(li)指(zhi)標(biao)很(hen)多(duo)，包(bao)括(kuo)晶(jing)向，晶(jing)向偏差(cha)，類型，厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)，邊長，垂(chui)直(zhi)度(du)(du)(du)等等。用(yong)相應的(de)測試(shi)儀器確定類型，晶(jing)向等；用(yong)相應測量儀器抽測5點厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)、公差(cha)，邊長和對角(jiao)線長及公差(cha)，垂(chui)直(zhi)度(du)(du)(du)等，這(zhe)(zhe)里(li)(li)面(mian)對太陽能電池(chi)工藝來說(shuo)，最重要(yao)的(de)是硅片(pian)(pian)厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)及厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)變化（TTV），因為很(hen)多(duo)太陽能電池(chi)生產(chan)線是有硅片(pian)(pian)厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)要(yao)求的(de)，低于起生產(chan)最低厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)，碎(sui)片(pian)(pian)率就(jiu)會提高，利潤(run)就(jiu)折騰(teng)到這(zhe)(zhe)碎(sui)片(pian)(pian)里(li)(li)頭了(le)。另外碳、氧含量對硅片(pian)(pian)品質來說(shuo)非(fei)常重要(yao)，一定要(yao)進行(xing)抽測，當然，正常說(shuo)來，這(zhe)(zhe)兩個指(zhi)標(biao)不會有問(wen)題，如果(guo)有問(wen)題的(de)話，它們就(jiu)會直(zhi)接反映在后面(mian)講到的(de)電學指(zhi)標(biao)中了(le)。
3、最后(hou)看電(dian)學指(zhi)標，主(zhu)要是少(shao)子壽命和電(dian)阻率(lv)，硅片(pian)的等級主(zhu)要通過這兩個指(zhi)標確定。比如目前A級的單晶(jing)硅片(pian)少(shao)子壽命要求大(da)于10μs，電(dian)阻率(lv)0-6Ω.cm。
