一、太陽能硅片是什么材料
太陽(yang)能電池分為單(dan)晶硅(gui)太陽(yang)能電池、多(duo)晶硅(gui)薄膜(mo)太陽(yang)能電池和(he)非晶硅(gui)薄膜(mo)太陽(yang)能電池三種(zhong)。
1、單質硅的一種形態。熔融的(de)單質(zhi)硅(gui)在凝固時硅(gui)原子以金剛石晶(jing)格排(pai)列成許多晶(jing)核，如(ru)果(guo)這些(xie)晶(jing)核長成晶(jing)面取向相同(tong)的(de)晶(jing)粒，則這些(xie)晶(jing)粒平(ping)行結(jie)合(he)起來便(bian)結(jie)晶(jing)成單晶(jing)硅(gui)。
2、多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅(gui)(gui)在過冷條件下凝固(gu)時，硅(gui)(gui)原子以金剛石晶(jing)(jing)格形(xing)態排列成許多(duo)晶(jing)(jing)核(he)，如這些晶(jing)(jing)核(he)長成晶(jing)(jing)面取向不同的晶(jing)(jing)粒(li)，則(ze)這些晶(jing)(jing)粒(li)結(jie)合起來，就結(jie)晶(jing)(jing)成多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)。
3、非晶硅。由非晶態合金制備，要獲得非晶態，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態快速淬火的方法目前還無法得到非晶態。近年來，發展了許多種氣相淀積非晶態硅膜的技術，其中包括真空蒸發、輝光放電、濺射及化學氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等，純(chun)度要求很高。非(fei)(fei)晶硅膜的(de)結構和性質與制(zhi)備(bei)工(gong)藝的(de)關系非(fei)(fei)常密切，目前認為以輝光放電法(fa)制(zhi)備(bei)的(de)非(fei)(fei)晶硅膜質量最好，設備(bei)也并(bing)不復(fu)雜。
二、怎么挑選太陽能硅片
1、首先看外(wai)觀(guan)，必須無(wu)裂紋，無(wu)硬傷(shang)，無(wu)孔洞，無(wu)崩邊。
2、其次(ci)看(kan)物理(li)指(zhi)標(biao)(biao)，物理(li)指(zhi)標(biao)(biao)很多，包括晶向(xiang)，晶向(xiang)偏差(cha)，類(lei)型，厚(hou)度(du)(du)，邊長，垂直(zhi)度(du)(du)等等。用相應(ying)的(de)測(ce)試儀(yi)器確定類(lei)型，晶向(xiang)等；用相應(ying)測(ce)量(liang)儀(yi)器抽測(ce)5點厚(hou)度(du)(du)、公(gong)差(cha)，邊長和對(dui)(dui)(dui)角線(xian)長及公(gong)差(cha)，垂直(zhi)度(du)(du)等，這里面(mian)對(dui)(dui)(dui)太陽能電(dian)(dian)池(chi)工(gong)藝來說，最重(zhong)要的(de)是(shi)硅片(pian)(pian)(pian)(pian)厚(hou)度(du)(du)及厚(hou)度(du)(du)變化（TTV），因為很多太陽能電(dian)(dian)池(chi)生(sheng)(sheng)產(chan)線(xian)是(shi)有硅片(pian)(pian)(pian)(pian)厚(hou)度(du)(du)要求的(de)，低于起生(sheng)(sheng)產(chan)最低厚(hou)度(du)(du)，碎(sui)片(pian)(pian)(pian)(pian)率就會提高，利潤就折騰到(dao)這碎(sui)片(pian)(pian)(pian)(pian)里頭了(le)。另外(wai)碳、氧含量(liang)對(dui)(dui)(dui)硅片(pian)(pian)(pian)(pian)品質來說非(fei)常重(zhong)要，一(yi)定要進行(xing)抽測(ce)，當然，正(zheng)常說來，這兩個指(zhi)標(biao)(biao)不(bu)會有問題(ti)(ti)，如果有問題(ti)(ti)的(de)話，它們(men)就會直(zhi)接反映在后面(mian)講到(dao)的(de)電(dian)(dian)學指(zhi)標(biao)(biao)中了(le)。
3、最后看電學指標(biao)，主要(yao)是少子壽命和電阻率，硅片的等級主要(yao)通過(guo)這兩個指標(biao)確定(ding)。比如目前A級的單晶硅片少子壽命要(yao)求大于10μs，電阻率0-6Ω.cm。
