一、太陽能硅片是什么材料
太陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)分(fen)為單(dan)晶硅太陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)、多晶硅薄膜太陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)和非晶硅薄膜太陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)三種。
1、單質硅的一種形態。熔融的(de)單(dan)質硅(gui)在凝固時硅(gui)原子以金剛石(shi)晶(jing)格排列(lie)成許多晶(jing)核，如果這些晶(jing)核長成晶(jing)面取向(xiang)相同(tong)的(de)晶(jing)粒，則這些晶(jing)粒平行結合起來便(bian)結晶(jing)成單(dan)晶(jing)硅(gui)。
2、多晶硅是單質硅的一種形態。熔融(rong)的單質硅在過冷(leng)條件下凝固時，硅原子以金剛石(shi)晶(jing)(jing)(jing)格形態排列成許多(duo)(duo)晶(jing)(jing)(jing)核(he)，如(ru)這些晶(jing)(jing)(jing)核(he)長成晶(jing)(jing)(jing)面取向不(bu)同的晶(jing)(jing)(jing)粒，則這些晶(jing)(jing)(jing)粒結合起來，就結晶(jing)(jing)(jing)成多(duo)(duo)晶(jing)(jing)(jing)硅。
3、非晶硅。由非晶態合金制備，要獲得非晶態，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態快速淬火的方法目前還無法得到非晶態。近年來，發展了許多種氣相淀積非晶態硅膜的技術，其中包括真空蒸發、輝光放電、濺射及化學氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等，純度要(yao)求(qiu)很高。非晶硅(gui)膜的(de)(de)結構和性質(zhi)與制(zhi)備工藝的(de)(de)關系非常密切，目前認為以(yi)輝光(guang)放電法制(zhi)備的(de)(de)非晶硅(gui)膜質(zhi)量最(zui)好，設備也并不復(fu)雜。
二、怎么挑選太陽能硅片
1、首先看外觀，必須無(wu)裂(lie)紋(wen)，無(wu)硬(ying)傷，無(wu)孔洞，無(wu)崩邊(bian)。
2、其次看物理指標，物理指標很多(duo)，包括(kuo)晶(jing)向，晶(jing)向偏差(cha)，類(lei)(lei)型，厚(hou)度(du)(du)(du)，邊長，垂直(zhi)度(du)(du)(du)等(deng)等(deng)。用相(xiang)應的(de)測試(shi)儀器確定類(lei)(lei)型，晶(jing)向等(deng)；用相(xiang)應測量儀器抽(chou)測5點厚(hou)度(du)(du)(du)、公差(cha)，邊長和對(dui)(dui)角線(xian)長及(ji)公差(cha)，垂直(zhi)度(du)(du)(du)等(deng)，這(zhe)里面對(dui)(dui)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電池(chi)工藝(yi)來(lai)說，最(zui)重要的(de)是硅(gui)片厚(hou)度(du)(du)(du)及(ji)厚(hou)度(du)(du)(du)變(bian)化(hua)（TTV），因為很多(duo)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電池(chi)生產(chan)(chan)線(xian)是有(you)硅(gui)片厚(hou)度(du)(du)(du)要求的(de)，低于起(qi)生產(chan)(chan)最(zui)低厚(hou)度(du)(du)(du)，碎(sui)片率(lv)就(jiu)會提高，利(li)潤就(jiu)折騰到這(zhe)碎(sui)片里頭了。另外碳、氧含量對(dui)(dui)硅(gui)片品質(zhi)來(lai)說非常重要，一定要進行抽(chou)測，當(dang)然(ran)，正常說來(lai)，這(zhe)兩個指標不會有(you)問題，如果(guo)有(you)問題的(de)話，它們就(jiu)會直(zhi)接反(fan)映(ying)在后面講到的(de)電學(xue)指標中了。
3、最后看電學指(zhi)(zhi)標(biao)，主要(yao)是少子(zi)壽命(ming)和電阻率(lv)，硅片(pian)的等級主要(yao)通過這兩個(ge)指(zhi)(zhi)標(biao)確定。比如(ru)目前A級的單晶硅片(pian)少子(zi)壽命(ming)要(yao)求大于10μs，電阻率(lv)0-6Ω.cm。
