一、太陽能硅片是什么材料
太(tai)陽能(neng)電池分為單晶(jing)硅太(tai)陽能(neng)電池、多晶(jing)硅薄膜太(tai)陽能(neng)電池和(he)非晶(jing)硅薄膜太(tai)陽能(neng)電池三種。
1、單質硅的一種形態。熔(rong)融的單(dan)質硅在(zai)凝固(gu)時硅原子以金剛石晶(jing)格排列(lie)成許多晶(jing)核，如(ru)果這(zhe)些(xie)晶(jing)核長成晶(jing)面取向相同的晶(jing)粒(li)，則這(zhe)些(xie)晶(jing)粒(li)平行結合起來便結晶(jing)成單(dan)晶(jing)硅。
2、多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的(de)單(dan)質硅在(zai)過冷條件(jian)下凝固(gu)時(shi)，硅原子以金(jin)剛(gang)石晶(jing)(jing)(jing)格形態排列成許(xu)多晶(jing)(jing)(jing)核(he)，如這些晶(jing)(jing)(jing)核(he)長成晶(jing)(jing)(jing)面(mian)取向不同的(de)晶(jing)(jing)(jing)粒，則這些晶(jing)(jing)(jing)粒結合起(qi)來，就(jiu)結晶(jing)(jing)(jing)成多晶(jing)(jing)(jing)硅。
3、非晶硅。由非晶態合金制備，要獲得非晶態，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態快速淬火的方法目前還無法得到非晶態。近年來，發展了許多種氣相淀積非晶態硅膜的技術，其中包括真空蒸發、輝光放電、濺射及化學氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等，純(chun)度要求很高。非晶硅膜(mo)的(de)結構和性質(zhi)與(yu)制(zhi)備(bei)工藝的(de)關系非常密切(qie)，目前認為(wei)以輝光(guang)放電法(fa)制(zhi)備(bei)的(de)非晶硅膜(mo)質(zhi)量(liang)最好(hao)，設(she)備(bei)也并不復雜。
二、怎么挑選太陽能硅片
1、首先看外(wai)觀，必須無(wu)裂紋，無(wu)硬(ying)傷，無(wu)孔洞(dong)，無(wu)崩(beng)邊(bian)。
2、其次看物(wu)(wu)理指標(biao)，物(wu)(wu)理指標(biao)很多(duo)，包括(kuo)晶向，晶向偏差(cha)，類型，厚度(du)(du)，邊長(chang)，垂直(zhi)度(du)(du)等(deng)(deng)等(deng)(deng)。用相應(ying)(ying)的(de)(de)(de)測試儀器確定(ding)類型，晶向等(deng)(deng)；用相應(ying)(ying)測量儀器抽測5點厚度(du)(du)、公(gong)差(cha)，邊長(chang)和對角線長(chang)及公(gong)差(cha)，垂直(zhi)度(du)(du)等(deng)(deng)，這里(li)面(mian)對太陽能(neng)電池(chi)工藝來(lai)說(shuo)(shuo)(shuo)，最重(zhong)要(yao)的(de)(de)(de)是(shi)(shi)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)厚度(du)(du)及厚度(du)(du)變化（TTV），因(yin)為很多(duo)太陽能(neng)電池(chi)生產線是(shi)(shi)有硅(gui)(gui)片(pian)(pian)厚度(du)(du)要(yao)求的(de)(de)(de)，低于起生產最低厚度(du)(du)，碎片(pian)(pian)率(lv)就會(hui)提高，利潤就折(zhe)騰到(dao)(dao)這碎片(pian)(pian)里(li)頭了。另外碳、氧含量對硅(gui)(gui)片(pian)(pian)品質來(lai)說(shuo)(shuo)(shuo)非常(chang)重(zhong)要(yao)，一定(ding)要(yao)進行(xing)抽測，當然，正常(chang)說(shuo)(shuo)(shuo)來(lai)，這兩個指標(biao)不(bu)會(hui)有問題(ti)，如果(guo)有問題(ti)的(de)(de)(de)話(hua)，它們就會(hui)直(zhi)接反映(ying)在后面(mian)講(jiang)到(dao)(dao)的(de)(de)(de)電學指標(biao)中了。
3、最后看(kan)電(dian)(dian)學指標，主要(yao)是少(shao)子(zi)壽(shou)(shou)命和電(dian)(dian)阻率(lv)，硅片(pian)(pian)的等級(ji)主要(yao)通過這(zhe)兩(liang)個指標確定。比如目前A級(ji)的單晶硅片(pian)(pian)少(shao)子(zi)壽(shou)(shou)命要(yao)求(qiu)大(da)于10μs，電(dian)(dian)阻率(lv)0-6Ω.cm。
