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氮化鎵充電器優點 氮化鎵充電器的缺點

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摘要:最近幾年各大廠商都開始推出氮化鎵充電器,氮化鎵充電器具有熱導率高,耐高溫,高強度和高硬度等等一系列的特性。相比于傳統充電器,氮化鎵充電器能夠在更小的體積下做到更高的快充功率。但是氮化鎵充電器目前也有不足,比如造價并不便宜,產能有限,如果沒有辦法工業化加大產能降價成本,短期內想要取代硅并不容易。

一、氮化鎵是什么

氮化(hua)(hua)鎵(GaN)是(shi)(shi)氮和(he)鎵化(hua)(hua)合物,具(ju)有(you)(you)半(ban)導體特性,早期(qi)應(ying)用于發光二極管(guan)中,它與常用的硅(gui)屬于同一元素周期(qi)族,硬(ying)度高(gao)熔(rong)點高(gao)穩定性強(qiang)。氮化(hua)(hua)鎵材料(liao)是(shi)(shi)研制(zhi)微電(dian)子(zi)器(qi)件的重要(yao)(yao)半(ban)導體材料(liao),具(ju)有(you)(you)寬帶隙、高(gao)熱導率(lv)等特點,應(ying)用在充電(dian)器(qi)方面,主要(yao)(yao)是(shi)(shi)集成(cheng)氮化(hua)(hua)鎵MOS管(guan),可適配小型變(bian)壓器(qi)和(he)高(gao)功(gong)率(lv)器(qi)件,充電(dian)效率(lv)高(gao)。

二、氮化鎵充電器優點

簡(jian)(jian)單來說,氮(dan)化鎵(jia)號稱第三代(dai)半導(dao)體(ti)(ti)核心材料(liao)。相對硅而(er)言,氮(dan)化鎵(jia)擁有更(geng)(geng)寬(kuan)的(de)(de)帶(dai)隙,寬(kuan)帶(dai)隙也意味(wei)著,氮(dan)化鎵(jia)能(neng)比(bi)硅承受更(geng)(geng)高(gao)的(de)(de)電壓,擁有更(geng)(geng)好的(de)(de)導(dao)電能(neng)力。簡(jian)(jian)而(er)言之兩種(zhong)材料(liao)在相同體(ti)(ti)積下,氮(dan)化鎵(jia)比(bi)硅的(de)(de)效(xiao)率高(gao)出不少(shao)。如果(guo)氮(dan)化鎵(jia)替(ti)換(huan)現(xian)在所(suo)有電子設備,可(ke)能(neng)會(hui)讓電子產品的(de)(de)用電量(liang)再減少(shao)10%或(huo)者25%。

在(zai)許多電源管理產品中,氮化鎵是(shi)更強的(de)存(cun)在(zai)。應用(yong)層面,采用(yong)氮化鎵做(zuo)充電器的(de)話(hua)能夠實現更快充電更小體積。

打(da)個(ge)比方說,采用氮化鎵材料做出來的充(chong)電頭(tou),體積和蘋果5W差不多(duo)大(da)的情況(kuang)下(xia),能實現更(geng)多(duo)的功率。蘋果的5W充(chong)電頭(tou)實現的充(chong)電效率相(xiang)信大(da)家都懂(dong)的,未來新(xin)的材料大(da)規模應有后就有望改變這種情況(kuang)。

氮化鎵(jia)(GaN)等(deng)新技術(shu)有望大幅改進電源管理、發電和功率(lv)輸出的諸(zhu)多方面。

對于(yu)用戶,最(zui)直(zhi)接的(de)(de)好處就是(shi)能帶來(lai)更快的(de)(de)充電(dian),但(dan)是(shi)體(ti)積卻不(bu)會(hui)因(yin)此而增大。因(yin)為GaN氮化(hua)鎵(jia)(jia)材料本身的(de)(de)特質,因(yin)此充電(dian)器如果采用了GaN氮化(hua)鎵(jia)(jia)做材料,那么不(bu)僅可(ke)以實現體(ti)積小、重量輕;對于(yu)發熱量與(yu)效率轉化(hua)也有非常明(ming)顯(xian)的(de)(de)提高。很多產品一旦發熱效率就會(hui)明(ming)顯(xian)的(de)(de)下(xia)降,比如CPU、充電(dian)頭等。

三、氮化鎵充電器的缺點

氮(dan)化(hua)(hua)鎵充(chong)電器(qi)(qi)主要(yao)缺點(dian)是成本高(gao)。氮(dan)化(hua)(hua)鎵作為新型第(di)三代化(hua)(hua)合物,合成環境要(yao)求很(hen)高(gao),從制造工(gong)藝上講,氮(dan)化(hua)(hua)鎵沒有(you)液態(tai),不能(neng)使用單晶硅的(de)(de)傳(chuan)統直(zhi)拉法拉出(chu)單晶,純靠氣(qi)(qi)體反應合成,在氨氣(qi)(qi)流(liu)中(zhong)超過1000度加熱金屬鎵半小時才能(neng)形(xing)成粉(fen)末狀氮(dan)化(hua)(hua)鎵,所(suo)以(yi)氮(dan)化(hua)(hua)鎵充(chong)電器(qi)(qi)的(de)(de)成本更(geng)高(gao),對應市面(mian)上的(de)(de)氮(dan)化(hua)(hua)鎵充(chong)電器(qi)(qi)售價也比傳(chuan)統充(chong)電器(qi)(qi)高(gao)出(chu)一(yi)大截。

隨著氮化鎵技術的普及應用,氮化鎵充電器成本可(ke)能會逐步(bu)降下來(lai),之后的價格應該能回歸到百(bai)元內。

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