一、太陽能硅片N型和P型的區別在哪里
N型電(dian)(dian)池片(pian)(pian)采用n型硅片(pian)(pian)，P型電(dian)(dian)池片(pian)(pian)采用p型硅片(pian)(pian)。
N型和P型單晶硅片(pian)的區別主要為：
1、摻雜的元素不同：單晶硅中摻磷是N型(xing)，單晶硅中摻硼為P型(xing)。
2、導電不同：N型是(shi)(shi)電子導電，P型是(shi)(shi)空穴導電。
二、太陽能硅片制作流程是怎么樣的
太陽能硅片的生產(chan)工(gong)藝流程分為(wei)硅片檢測--表面(mian)制絨及酸洗(xi)--擴散制結--去磷硅玻璃--等離子刻蝕及酸洗(xi)--鍍(du)減反射膜(mo)--絲網印刷(shua)--快速燒結等。具(ju)體介紹如下:
1、硅片檢(jian)(jian)測(ce)(ce)，硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)質量的(de)(de)好(hao)壞直接決定了太陽能(neng)電池片(pian)(pian)(pian)轉換效(xiao)率(lv)(lv)的(de)(de)高低(di)，因此(ci)需(xu)要(yao)對(dui)來料硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)進行檢(jian)(jian)測(ce)(ce)。在進行少子壽(shou)命和電阻率(lv)(lv)檢(jian)(jian)測(ce)(ce)之前，需(xu)要(yao)先(xian)對(dui)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)對(dui)角線、微(wei)裂紋進行檢(jian)(jian)測(ce)(ce)，并自動剔除破損硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)。硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)檢(jian)(jian)測(ce)(ce)設備能(neng)夠(gou)自動裝片(pian)(pian)(pian)和卸片(pian)(pian)(pian)，并且能(neng)夠(gou)將不合格(ge)品放到(dao)固定位置，從而提高檢(jian)(jian)測(ce)(ce)精度(du)和效(xiao)率(lv)(lv)。
2、表面(mian)制絨，單晶硅(gui)絨面(mian)的制備(bei)是利用(yong)硅(gui)的各向異性腐(fu)蝕(shi)，在(zai)每(mei)平方(fang)厘米硅(gui)表面(mian)形成幾(ji)百萬個四面(mian)方(fang)錐(zhui)體也(ye)即金字塔結(jie)構(gou)。制備(bei)絨面(mian)前，硅(gui)片須先進行初步表面(mian)腐(fu)蝕(shi)，用(yong)堿性或酸性腐(fu)蝕(shi)液蝕(shi)去(qu)約20~25μm，在(zai)腐(fu)蝕(shi)絨面(mian)后(hou)，進行一般的化(hua)學清(qing)洗。經過表面(mian)準(zhun)備(bei)的硅(gui)片都不宜在(zai)水中久存(cun)，以防(fang)沾污，應(ying)盡(jin)快擴散制結(jie)。
3、擴(kuo)散(san)制結(jie)(jie)，太陽(yang)能(neng)電池需要一個大面積的PN結(jie)(jie)以(yi)實現光能(neng)到電能(neng)的轉換(huan)，而擴(kuo)散(san)爐即(ji)為(wei)制造(zao)(zao)太陽(yang)能(neng)電池PN結(jie)(jie)的專用(yong)設備。管式擴(kuo)散(san)爐主(zhu)要由(you)石(shi)英舟的上下載部分、廢氣室(shi)、爐體(ti)部分和(he)氣柜部分等四(si)大部分組成(cheng)。擴(kuo)散(san)一般用(yong)三氯(lv)氧磷液態源作(zuo)為(wei)擴(kuo)散(san)源。制造(zao)(zao)PN結(jie)(jie)是(shi)(shi)(shi)(shi)太陽(yang)電池生產最基本也(ye)是(shi)(shi)(shi)(shi)最關鍵的工序。因為(wei)正是(shi)(shi)(shi)(shi)PN結(jie)(jie)的形成(cheng)，才使電子(zi)和(he)空穴在流動后(hou)不(bu)再回(hui)到原處，這樣就形成(cheng)了電流，用(yong)導線(xian)將電流引出(chu)，就是(shi)(shi)(shi)(shi)直流電。
4、去磷硅(gui)(gui)玻璃，該工(gong)藝用于太(tai)陽能電(dian)池片(pian)生產制造(zao)過(guo)程中，通過(guo)化學腐蝕(shi)法也(ye)即把(ba)硅(gui)(gui)片(pian)放在(zai)氫(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)(suan)溶(rong)液中浸(jin)泡，使其產生化學反(fan)(fan)應(ying)(ying)生成可(ke)溶(rong)性(xing)(xing)的(de)絡和(he)物六氟(fu)(fu)(fu)(fu)硅(gui)(gui)酸(suan)(suan)，以(yi)去除(chu)擴散制結后(hou)在(zai)硅(gui)(gui)片(pian)表面形成的(de)一(yi)層磷硅(gui)(gui)玻璃。氫(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)(suan)能夠溶(rong)解二(er)氧(yang)化硅(gui)(gui)是因(yin)為氫(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)(suan)與二(er)氧(yang)化硅(gui)(gui)反(fan)(fan)應(ying)(ying)生成易揮(hui)發的(de)四氟(fu)(fu)(fu)(fu)化硅(gui)(gui)氣體。若氫(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)(suan)過(guo)量，反(fan)(fan)應(ying)(ying)生成的(de)四氟(fu)(fu)(fu)(fu)化硅(gui)(gui)會進一(yi)步與氫(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)(suan)反(fan)(fan)應(ying)(ying)生成可(ke)溶(rong)性(xing)(xing)的(de)絡和(he)物六氟(fu)(fu)(fu)(fu)硅(gui)(gui)酸(suan)(suan)。
5、等離子刻(ke)蝕(shi)，由于在(zai)擴(kuo)(kuo)散(san)(san)過(guo)程中，即使采用背靠背擴(kuo)(kuo)散(san)(san)，硅(gui)(gui)片的(de)所有表(biao)面(mian)包括邊(bian)緣都(dou)將不可避免(mian)地擴(kuo)(kuo)散(san)(san)上磷。PN結(jie)(jie)的(de)正(zheng)面(mian)所收(shou)集(ji)到的(de)光生電子會沿(yan)著邊(bian)緣擴(kuo)(kuo)散(san)(san)有磷的(de)區域(yu)流(liu)到PN結(jie)(jie)的(de)背面(mian)，而造成短路。因此，必(bi)須對太陽(yang)能電池周邊(bian)的(de)摻雜硅(gui)(gui)進行刻(ke)蝕(shi)，以去除電池邊(bian)緣的(de)PN結(jie)(jie)。
6、鍍減反射膜(mo)，拋光(guang)硅表面的反射率為(wei)35%，為(wei)了減少表面反射，提高電池的轉換效率，需(xu)要沉(chen)(chen)積一層氮化硅減反射膜(mo)。工(gong)業生產中常采(cai)用(yong)PECVD設備制備減反射膜(mo)。PECVD即(ji)等離子(zi)增(zeng)強型化學氣相沉(chen)(chen)積。
7、絲網印(yin)刷(shua)(shua)，太(tai)陽電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池經過制(zhi)(zhi)絨、擴散及PECVD等(deng)工(gong)序后，已經制(zhi)(zhi)成(cheng)PN結，可以在光照下產(chan)生(sheng)(sheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流，為(wei)了將產(chan)生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流導出，需要在電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池表面上制(zhi)(zhi)作正、負兩個電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極。制(zhi)(zhi)造電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極的(de)(de)(de)方(fang)法很(hen)多，而絲網印(yin)刷(shua)(shua)是(shi)目前制(zhi)(zhi)作太(tai)陽電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極最(zui)普遍的(de)(de)(de)一種生(sheng)(sheng)產(chan)工(gong)藝。絲網印(yin)刷(shua)(shua)是(shi)采用壓(ya)印(yin)的(de)(de)(de)方(fang)式(shi)將預定的(de)(de)(de)圖(tu)形印(yin)刷(shua)(shua)在基(ji)板上，該設備(bei)由(you)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池背面銀鋁(lv)漿印(yin)刷(shua)(shua)、電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池背面鋁(lv)漿印(yin)刷(shua)(shua)和(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池正面銀漿印(yin)刷(shua)(shua)三部(bu)分組成(cheng)。
8、快(kuai)速燒(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)(jie)，經過絲(si)網印刷后的(de)(de)硅片，不能直接使用(yong)，需經燒(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)(jie)爐(lu)快(kuai)速燒(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)(jie)，將有機樹脂粘(zhan)(zhan)合劑燃(ran)燒(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)掉，剩(sheng)下幾乎純粹的(de)(de)、由于(yu)玻(bo)(bo)璃(li)質作用(yong)而密合在硅片上的(de)(de)銀(yin)電(dian)極(ji)。燒(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)(jie)爐(lu)分為(wei)預燒(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)(jie)、燒(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)(jie)、降(jiang)溫(wen)冷卻(que)三個階(jie)段。預燒(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)(jie)階(jie)段目的(de)(de)是使漿料中的(de)(de)高分子粘(zhan)(zhan)合劑分解、燃(ran)燒(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)掉，此(ci)階(jie)段溫(wen)度慢慢上升；燒(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)(jie)階(jie)段中燒(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)(jie)體內完成各種物理化學反應，形(xing)成電(dian)阻(zu)膜(mo)結(jie)(jie)構(gou)，使其真正(zheng)具有電(dian)阻(zu)特性，該階(jie)段溫(wen)度達到峰值;降(jiang)溫(wen)冷卻(que)階(jie)段，玻(bo)(bo)璃(li)冷卻(que)硬(ying)化并凝(ning)固，使電(dian)阻(zu)膜(mo)結(jie)(jie)構(gou)固定地(di)粘(zhan)(zhan)附于(yu)基片上。
9、外(wai)圍設備在電(dian)(dian)池片生產(chan)過(guo)程(cheng)中，還(huan)需要供電(dian)(dian)、動力、給水(shui)(shui)、排水(shui)(shui)、暖通、真空、特汽(qi)等外(wai)圍設施(shi)。消防和(he)環保(bao)設備對(dui)于保(bao)證(zheng)安(an)全和(he)持續發展也(ye)顯(xian)得尤(you)為重(zhong)要。考(kao)慮到(dao)特殊(shu)氣體如硅烷的安(an)全因素，還(huan)需要單獨設置(zhi)一個特氣間，以絕對(dui)保(bao)證(zheng)生產(chan)安(an)全。另外(wai)，硅烷燃燒塔(ta)、污水(shui)(shui)處理站(zhan)等也(ye)是電(dian)(dian)池片生產(chan)的必備設施(shi)。
