一、太陽能硅片N型和P型的區別在哪里
N型電池片(pian)(pian)(pian)采用n型硅片(pian)(pian)(pian)，P型電池片(pian)(pian)(pian)采用p型硅片(pian)(pian)(pian)。
N型(xing)和P型(xing)單晶硅片的(de)區別主(zhu)要為：
1、摻雜的元素不同：單晶硅中摻磷是N型(xing)(xing)，單晶硅中摻硼為P型(xing)(xing)。
2、導電不同：N型是電子導(dao)電，P型是空穴導(dao)電。
二、太陽能硅片制作流程是怎么樣的
太(tai)陽(yang)能(neng)硅片的生產工藝(yi)流程(cheng)分(fen)為硅片檢測--表面制(zhi)絨(rong)及酸(suan)洗--擴散制(zhi)結--去磷硅玻璃--等(deng)離子刻(ke)蝕及酸(suan)洗--鍍(du)減反射膜--絲網印(yin)刷--快速燒結等(deng)。具體介(jie)紹(shao)如(ru)下:
1、硅片檢(jian)測，硅(gui)片(pian)(pian)(pian)質量(liang)的好壞直接決定了太陽能電池片(pian)(pian)(pian)轉換效率的高低，因此需(xu)要對來料硅(gui)片(pian)(pian)(pian)進(jin)行檢(jian)測。在進(jin)行少(shao)子(zi)壽命和(he)電阻率檢(jian)測之前，需(xu)要先對硅(gui)片(pian)(pian)(pian)的對角線、微裂紋進(jin)行檢(jian)測，并自(zi)動剔除破損硅(gui)片(pian)(pian)(pian)。硅(gui)片(pian)(pian)(pian)檢(jian)測設(she)備能夠(gou)自(zi)動裝片(pian)(pian)(pian)和(he)卸片(pian)(pian)(pian)，并且能夠(gou)將不合(he)格(ge)品放到(dao)固定位置，從而提高檢(jian)測精(jing)度和(he)效率。
2、表(biao)面(mian)制(zhi)絨(rong)，單(dan)晶(jing)硅(gui)絨(rong)面(mian)的制(zhi)備(bei)(bei)是利用硅(gui)的各(ge)向(xiang)異性(xing)腐(fu)蝕(shi)，在(zai)每平(ping)方(fang)厘米硅(gui)表(biao)面(mian)形成幾(ji)百萬(wan)個四面(mian)方(fang)錐體(ti)也即金(jin)字(zi)塔結(jie)構(gou)。制(zhi)備(bei)(bei)絨(rong)面(mian)前，硅(gui)片須先進行(xing)初步(bu)表(biao)面(mian)腐(fu)蝕(shi)，用堿性(xing)或酸性(xing)腐(fu)蝕(shi)液(ye)蝕(shi)去約20~25μm，在(zai)腐(fu)蝕(shi)絨(rong)面(mian)后，進行(xing)一(yi)般的化學(xue)清洗。經(jing)過表(biao)面(mian)準備(bei)(bei)的硅(gui)片都(dou)不宜在(zai)水中久存，以防沾污，應盡快擴散(san)制(zhi)結(jie)。
3、擴(kuo)散(san)制(zhi)結(jie)(jie)，太(tai)陽(yang)(yang)能電池需(xu)要一個(ge)大(da)面積的PN結(jie)(jie)以實現光能到電能的轉換，而擴(kuo)散(san)爐即為(wei)制(zhi)造太(tai)陽(yang)(yang)能電池PN結(jie)(jie)的專(zhuan)用設備。管式擴(kuo)散(san)爐主要由石(shi)英舟的上(shang)下(xia)載部(bu)分(fen)、廢氣(qi)室、爐體部(bu)分(fen)和(he)氣(qi)柜(ju)部(bu)分(fen)等四大(da)部(bu)分(fen)組成。擴(kuo)散(san)一般(ban)用三(san)氯氧磷(lin)液態(tai)源作為(wei)擴(kuo)散(san)源。制(zhi)造PN結(jie)(jie)是(shi)(shi)太(tai)陽(yang)(yang)電池生(sheng)產(chan)最基本也(ye)是(shi)(shi)最關鍵的工序。因為(wei)正是(shi)(shi)PN結(jie)(jie)的形成，才使(shi)電子和(he)空穴在流(liu)動后不(bu)再回(hui)到原處(chu)，這樣就形成了電流(liu)，用導線(xian)將(jiang)電流(liu)引出，就是(shi)(shi)直流(liu)電。
4、去(qu)磷硅(gui)(gui)玻(bo)璃(li)，該(gai)工藝用于太陽能電(dian)池(chi)片(pian)生(sheng)(sheng)產(chan)制造過(guo)程中，通過(guo)化(hua)學腐蝕法(fa)也即(ji)把硅(gui)(gui)片(pian)放在(zai)氫氟(fu)酸(suan)溶(rong)(rong)液中浸泡，使(shi)其產(chan)生(sheng)(sheng)化(hua)學反(fan)應(ying)生(sheng)(sheng)成可溶(rong)(rong)性的絡和物六(liu)氟(fu)硅(gui)(gui)酸(suan)，以去(qu)除擴散(san)制結后(hou)在(zai)硅(gui)(gui)片(pian)表面形成的一(yi)層磷硅(gui)(gui)玻(bo)璃(li)。氫氟(fu)酸(suan)能夠(gou)溶(rong)(rong)解二氧化(hua)硅(gui)(gui)是(shi)因為氫氟(fu)酸(suan)與二氧化(hua)硅(gui)(gui)反(fan)應(ying)生(sheng)(sheng)成易揮發的四氟(fu)化(hua)硅(gui)(gui)氣(qi)體。若氫氟(fu)酸(suan)過(guo)量(liang)，反(fan)應(ying)生(sheng)(sheng)成的四氟(fu)化(hua)硅(gui)(gui)會進一(yi)步與氫氟(fu)酸(suan)反(fan)應(ying)生(sheng)(sheng)成可溶(rong)(rong)性的絡和物六(liu)氟(fu)硅(gui)(gui)酸(suan)。
5、等離子(zi)刻(ke)蝕(shi)，由(you)于在擴(kuo)散(san)過程(cheng)中，即使采用(yong)背(bei)靠背(bei)擴(kuo)散(san)，硅(gui)片的(de)(de)(de)(de)(de)(de)所有(you)表(biao)面(mian)(mian)包括邊(bian)緣都將不可(ke)避免地擴(kuo)散(san)上(shang)磷。PN結(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)正面(mian)(mian)所收集到的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光生電(dian)子(zi)會沿著邊(bian)緣擴(kuo)散(san)有(you)磷的(de)(de)(de)(de)(de)(de)區域流到PN結(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)背(bei)面(mian)(mian)，而造成短路(lu)。因此，必須對太(tai)陽能電(dian)池周邊(bian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)摻(chan)雜硅(gui)進行刻(ke)蝕(shi)，以去除電(dian)池邊(bian)緣的(de)(de)(de)(de)(de)(de)PN結(jie)(jie)。
6、鍍減(jian)反(fan)射膜，拋光(guang)硅表面(mian)的反(fan)射率為(wei)35%，為(wei)了減(jian)少表面(mian)反(fan)射，提高電(dian)池的轉換效(xiao)率，需(xu)要沉(chen)積一層氮化硅減(jian)反(fan)射膜。工業生產中常采(cai)用PECVD設備制備減(jian)反(fan)射膜。PECVD即等(deng)離子增強型化學氣(qi)相沉(chen)積。
7、絲網(wang)印(yin)(yin)(yin)(yin)刷，太陽電(dian)(dian)池經過制(zhi)(zhi)絨、擴散及PECVD等(deng)工序后(hou)，已經制(zhi)(zhi)成(cheng)PN結，可以在光照(zhao)下產生電(dian)(dian)流，為了將產生的電(dian)(dian)流導出，需要在電(dian)(dian)池表面上制(zhi)(zhi)作正、負兩個電(dian)(dian)極。制(zhi)(zhi)造(zao)電(dian)(dian)極的方法(fa)很多，而絲網(wang)印(yin)(yin)(yin)(yin)刷是目前制(zhi)(zhi)作太陽電(dian)(dian)池電(dian)(dian)極最普遍的一種生產工藝(yi)。絲網(wang)印(yin)(yin)(yin)(yin)刷是采用(yong)壓印(yin)(yin)(yin)(yin)的方式將預定的圖(tu)形印(yin)(yin)(yin)(yin)刷在基板上，該(gai)設(she)備由電(dian)(dian)池背(bei)面銀鋁漿印(yin)(yin)(yin)(yin)刷、電(dian)(dian)池背(bei)面鋁漿印(yin)(yin)(yin)(yin)刷和電(dian)(dian)池正面銀漿印(yin)(yin)(yin)(yin)刷三部分組成(cheng)。
8、快速燒(shao)(shao)結(jie)(jie)，經(jing)過絲網印刷后的(de)(de)(de)硅片，不(bu)能直接使用，需經(jing)燒(shao)(shao)結(jie)(jie)爐快速燒(shao)(shao)結(jie)(jie)，將有(you)機樹脂粘(zhan)合劑燃燒(shao)(shao)掉，剩下(xia)幾乎純粹的(de)(de)(de)、由于玻璃(li)質作用而密合在硅片上的(de)(de)(de)銀電(dian)極。燒(shao)(shao)結(jie)(jie)爐分(fen)為預燒(shao)(shao)結(jie)(jie)、燒(shao)(shao)結(jie)(jie)、降溫(wen)冷(leng)卻三個階(jie)段(duan)。預燒(shao)(shao)結(jie)(jie)階(jie)段(duan)目的(de)(de)(de)是使漿料中的(de)(de)(de)高分(fen)子粘(zhan)合劑分(fen)解、燃燒(shao)(shao)掉，此階(jie)段(duan)溫(wen)度(du)慢慢上升；燒(shao)(shao)結(jie)(jie)階(jie)段(duan)中燒(shao)(shao)結(jie)(jie)體內完(wan)成各種(zhong)物理化學反(fan)應(ying)，形成電(dian)阻膜(mo)結(jie)(jie)構(gou)(gou)，使其真正具有(you)電(dian)阻特(te)性，該階(jie)段(duan)溫(wen)度(du)達到峰值(zhi);降溫(wen)冷(leng)卻階(jie)段(duan)，玻璃(li)冷(leng)卻硬化并凝固，使電(dian)阻膜(mo)結(jie)(jie)構(gou)(gou)固定地粘(zhan)附于基片上。
9、外(wai)圍設(she)備在電(dian)(dian)池片生(sheng)產(chan)過程中，還需要(yao)(yao)供(gong)電(dian)(dian)、動力、給水、排水、暖通、真空、特(te)(te)汽(qi)等外(wai)圍設(she)施(shi)。消防和環保設(she)備對于(yu)保證安(an)全(quan)(quan)和持續發展(zhan)也顯得(de)尤為重要(yao)(yao)。考慮到特(te)(te)殊氣(qi)體如硅烷的安(an)全(quan)(quan)因素，還需要(yao)(yao)單獨設(she)置一個特(te)(te)氣(qi)間，以絕對保證生(sheng)產(chan)安(an)全(quan)(quan)。另外(wai)，硅烷燃燒塔、污(wu)水處理站等也是電(dian)(dian)池片生(sheng)產(chan)的必備設(she)施(shi)。
