一、太陽能硅片N型和P型的區別在哪里
N型電池片(pian)采用(yong)n型硅片(pian)，P型電池片(pian)采用(yong)p型硅片(pian)。
N型和(he)P型單晶硅片的區(qu)別(bie)主要為(wei)：
1、摻雜的元素不同：單晶硅(gui)中摻磷是N型(xing)，單晶硅(gui)中摻硼(peng)為P型(xing)。
2、導電不同：N型(xing)是電子導電，P型(xing)是空穴導電。
二、太陽能硅片制作流程是怎么樣的
太陽能硅片(pian)的生產工藝(yi)流程分(fen)為硅片(pian)檢測--表面制(zhi)絨及(ji)酸洗--擴散制(zhi)結(jie)--去磷(lin)硅玻(bo)璃(li)--等離子刻蝕及(ji)酸洗--鍍減(jian)反射膜(mo)--絲網印刷--快(kuai)速燒(shao)結(jie)等。具體介(jie)紹(shao)如(ru)下:
1、硅片檢(jian)測(ce)，硅(gui)片(pian)質量的好(hao)壞直接決定(ding)了太(tai)陽能電池片(pian)轉換效率的高(gao)低(di)，因(yin)此需要對(dui)來料(liao)硅(gui)片(pian)進(jin)行檢(jian)測(ce)。在進(jin)行少子壽命和(he)電阻率檢(jian)測(ce)之前，需要先(xian)對(dui)硅(gui)片(pian)的對(dui)角(jiao)線(xian)、微裂紋(wen)進(jin)行檢(jian)測(ce)，并(bing)自(zi)動剔除破損硅(gui)片(pian)。硅(gui)片(pian)檢(jian)測(ce)設(she)備(bei)能夠(gou)(gou)自(zi)動裝片(pian)和(he)卸片(pian)，并(bing)且能夠(gou)(gou)將不合(he)格品放到固定(ding)位置，從而提高(gao)檢(jian)測(ce)精度和(he)效率。
2、表(biao)(biao)面(mian)(mian)制(zhi)絨(rong)，單晶(jing)硅(gui)(gui)絨(rong)面(mian)(mian)的(de)制(zhi)備(bei)是利用硅(gui)(gui)的(de)各向異性腐蝕，在(zai)每平(ping)方(fang)厘米硅(gui)(gui)表(biao)(biao)面(mian)(mian)形成幾百萬個四面(mian)(mian)方(fang)錐體(ti)也(ye)即金字塔結構。制(zhi)備(bei)絨(rong)面(mian)(mian)前，硅(gui)(gui)片須先進行初(chu)步表(biao)(biao)面(mian)(mian)腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20~25μm，在(zai)腐蝕絨(rong)面(mian)(mian)后，進行一般的(de)化學(xue)清洗(xi)。經過表(biao)(biao)面(mian)(mian)準備(bei)的(de)硅(gui)(gui)片都不(bu)宜在(zai)水中(zhong)久存(cun)，以防(fang)沾污，應盡快擴(kuo)散制(zhi)結。
3、擴(kuo)散制(zhi)結(jie)，太(tai)陽能(neng)(neng)(neng)電(dian)池需要一個大面積(ji)的(de)(de)(de)PN結(jie)以實現光能(neng)(neng)(neng)到電(dian)能(neng)(neng)(neng)的(de)(de)(de)轉(zhuan)換，而擴(kuo)散爐即為(wei)制(zhi)造(zao)(zao)太(tai)陽能(neng)(neng)(neng)電(dian)池PN結(jie)的(de)(de)(de)專用設備。管式擴(kuo)散爐主要由石英舟的(de)(de)(de)上下載(zai)部(bu)(bu)分、廢氣室(shi)、爐體部(bu)(bu)分和氣柜(ju)部(bu)(bu)分等四(si)大部(bu)(bu)分組成(cheng)。擴(kuo)散一般用三氯氧磷(lin)液態源(yuan)作為(wei)擴(kuo)散源(yuan)。制(zhi)造(zao)(zao)PN結(jie)是太(tai)陽電(dian)池生(sheng)產最(zui)基本(ben)也是最(zui)關鍵的(de)(de)(de)工序。因為(wei)正是PN結(jie)的(de)(de)(de)形(xing)成(cheng)，才(cai)使電(dian)子(zi)和空穴在(zai)流(liu)動后不再回到原處，這(zhe)樣就形(xing)成(cheng)了電(dian)流(liu)，用導線將電(dian)流(liu)引出，就是直流(liu)電(dian)。
4、去(qu)磷硅(gui)(gui)(gui)(gui)玻璃，該(gai)工藝(yi)用于太陽能(neng)電池片生產制(zhi)造過程中(zhong)，通(tong)過化(hua)(hua)學(xue)腐蝕(shi)法也即把硅(gui)(gui)(gui)(gui)片放在氫(qing)氟(fu)(fu)酸溶(rong)液中(zhong)浸泡(pao)，使其產生化(hua)(hua)學(xue)反(fan)(fan)應生成可溶(rong)性的(de)絡和(he)物六氟(fu)(fu)硅(gui)(gui)(gui)(gui)酸，以(yi)去(qu)除(chu)擴(kuo)散制(zhi)結后在硅(gui)(gui)(gui)(gui)片表面形成的(de)一層磷硅(gui)(gui)(gui)(gui)玻璃。氫(qing)氟(fu)(fu)酸能(neng)夠溶(rong)解二氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)是因為氫(qing)氟(fu)(fu)酸與(yu)二氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)反(fan)(fan)應生成易揮發(fa)的(de)四(si)氟(fu)(fu)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)氣體。若氫(qing)氟(fu)(fu)酸過量，反(fan)(fan)應生成的(de)四(si)氟(fu)(fu)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)會進一步與(yu)氫(qing)氟(fu)(fu)酸反(fan)(fan)應生成可溶(rong)性的(de)絡和(he)物六氟(fu)(fu)硅(gui)(gui)(gui)(gui)酸。
5、等離子刻(ke)蝕，由于在擴(kuo)散(san)(san)(san)過程中，即(ji)使采用背(bei)(bei)靠背(bei)(bei)擴(kuo)散(san)(san)(san)，硅片的(de)所(suo)有表面(mian)包括邊(bian)緣都將不(bu)可避免地擴(kuo)散(san)(san)(san)上磷。PN結(jie)(jie)的(de)正面(mian)所(suo)收集到的(de)光(guang)生電子會沿著邊(bian)緣擴(kuo)散(san)(san)(san)有磷的(de)區域流到PN結(jie)(jie)的(de)背(bei)(bei)面(mian)，而(er)造成短路。因此，必須對太陽能電池(chi)周邊(bian)的(de)摻(chan)雜硅進行刻(ke)蝕，以去除電池(chi)邊(bian)緣的(de)PN結(jie)(jie)。
6、鍍減(jian)反(fan)射(she)(she)膜(mo)，拋(pao)光(guang)硅表(biao)面的(de)反(fan)射(she)(she)率為35%，為了減(jian)少表(biao)面反(fan)射(she)(she)，提高(gao)電池(chi)的(de)轉(zhuan)換效率，需要沉積一層氮化硅減(jian)反(fan)射(she)(she)膜(mo)。工(gong)業生(sheng)產(chan)中常采用PECVD設備(bei)(bei)制備(bei)(bei)減(jian)反(fan)射(she)(she)膜(mo)。PECVD即等離子增強型化學氣相沉積。
7、絲(si)網印(yin)刷，太陽(yang)電(dian)(dian)(dian)池(chi)經過制(zhi)(zhi)絨(rong)、擴散及(ji)PECVD等工(gong)序后，已經制(zhi)(zhi)成PN結，可以在(zai)光照下產生電(dian)(dian)(dian)流(liu)，為了將產生的(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)導出，需要在(zai)電(dian)(dian)(dian)池(chi)表面(mian)上制(zhi)(zhi)作正、負兩個(ge)電(dian)(dian)(dian)極。制(zhi)(zhi)造電(dian)(dian)(dian)極的(de)方法很(hen)多，而絲(si)網印(yin)刷是(shi)目前制(zhi)(zhi)作太陽(yang)電(dian)(dian)(dian)池(chi)電(dian)(dian)(dian)極最普遍的(de)一種生產工(gong)藝。絲(si)網印(yin)刷是(shi)采用壓印(yin)的(de)方式將預定的(de)圖形印(yin)刷在(zai)基板上，該設備由(you)電(dian)(dian)(dian)池(chi)背(bei)面(mian)銀(yin)(yin)鋁漿(jiang)印(yin)刷、電(dian)(dian)(dian)池(chi)背(bei)面(mian)鋁漿(jiang)印(yin)刷和電(dian)(dian)(dian)池(chi)正面(mian)銀(yin)(yin)漿(jiang)印(yin)刷三部分組成。
8、快速(su)燒(shao)結(jie)(jie)，經(jing)過絲(si)網印刷(shua)后的(de)硅(gui)片(pian)，不能(neng)直(zhi)接(jie)使用，需經(jing)燒(shao)結(jie)(jie)爐(lu)(lu)快速(su)燒(shao)結(jie)(jie)，將有機樹脂粘(zhan)(zhan)合劑(ji)燃燒(shao)掉，剩下幾乎純(chun)粹的(de)、由于玻璃質作用而密合在(zai)硅(gui)片(pian)上的(de)銀電(dian)(dian)極。燒(shao)結(jie)(jie)爐(lu)(lu)分(fen)為預(yu)燒(shao)結(jie)(jie)、燒(shao)結(jie)(jie)、降(jiang)溫冷(leng)卻三個(ge)階(jie)段(duan)。預(yu)燒(shao)結(jie)(jie)階(jie)段(duan)目的(de)是使漿料中的(de)高分(fen)子(zi)粘(zhan)(zhan)合劑(ji)分(fen)解、燃燒(shao)掉，此階(jie)段(duan)溫度慢慢上升；燒(shao)結(jie)(jie)階(jie)段(duan)中燒(shao)結(jie)(jie)體內完(wan)成各種物理(li)化(hua)學反應，形成電(dian)(dian)阻膜結(jie)(jie)構(gou)，使其真正(zheng)具有電(dian)(dian)阻特性(xing)，該階(jie)段(duan)溫度達(da)到峰值;降(jiang)溫冷(leng)卻階(jie)段(duan)，玻璃冷(leng)卻硬化(hua)并凝固，使電(dian)(dian)阻膜結(jie)(jie)構(gou)固定地(di)粘(zhan)(zhan)附于基(ji)片(pian)上。
9、外(wai)圍設(she)備(bei)(bei)在電(dian)池片生產(chan)過程中，還需(xu)要供電(dian)、動力、給水(shui)、排(pai)水(shui)、暖通、真空、特(te)(te)汽(qi)等外(wai)圍設(she)施。消(xiao)防和環保(bao)(bao)設(she)備(bei)(bei)對于保(bao)(bao)證安(an)全和持續發展也顯得尤為重要。考慮到特(te)(te)殊氣(qi)體如硅(gui)烷的(de)安(an)全因素，還需(xu)要單獨(du)設(she)置一(yi)個特(te)(te)氣(qi)間，以(yi)絕對保(bao)(bao)證生產(chan)安(an)全。另外(wai)，硅(gui)烷燃燒(shao)塔、污水(shui)處理(li)站(zhan)等也是(shi)電(dian)池片生產(chan)的(de)必備(bei)(bei)設(she)施。
