一、太陽能硅片N型和P型的區別在哪里
N型(xing)(xing)電池片(pian)(pian)采(cai)用n型(xing)(xing)硅片(pian)(pian)，P型(xing)(xing)電池片(pian)(pian)采(cai)用p型(xing)(xing)硅片(pian)(pian)。
N型和P型單晶(jing)硅(gui)片的區別主要為：
1、摻雜的元素不同：單(dan)晶硅中摻(chan)磷(lin)是N型，單(dan)晶硅中摻(chan)硼為P型。
2、導電不同：N型是電(dian)子(zi)導電(dian)，P型是空穴導電(dian)。
二、太陽能硅片制作流程是怎么樣的
太陽能硅片的生(sheng)產工(gong)藝流程分(fen)為硅片檢測--表(biao)面制絨及酸(suan)洗(xi)--擴散制結--去磷硅玻璃--等(deng)離(li)子刻(ke)蝕及酸(suan)洗(xi)--鍍減反射膜--絲網印刷--快速燒結等(deng)。具體介紹(shao)如下:
1、硅片檢(jian)測，硅(gui)片質量的(de)好壞直接決定了太陽能(neng)電池片轉換效率(lv)的(de)高低，因此需要對(dui)來料硅(gui)片進行檢(jian)測。在(zai)進行少子壽命(ming)和電阻(zu)率(lv)檢(jian)測之(zhi)前，需要先對(dui)硅(gui)片的(de)對(dui)角線、微裂(lie)紋進行檢(jian)測，并自動(dong)剔除破損硅(gui)片。硅(gui)片檢(jian)測設備能(neng)夠自動(dong)裝片和卸片，并且能(neng)夠將不(bu)合(he)格品放到固(gu)定位置，從而提高檢(jian)測精度和效率(lv)。
2、表面(mian)(mian)制絨(rong)(rong)，單(dan)晶硅絨(rong)(rong)面(mian)(mian)的制備是利用硅的各向(xiang)異性(xing)腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)，在每(mei)平方厘米硅表面(mian)(mian)形成幾百萬(wan)個四面(mian)(mian)方錐(zhui)體也(ye)即金字塔結構。制備絨(rong)(rong)面(mian)(mian)前，硅片須(xu)先進行(xing)初步表面(mian)(mian)腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)，用堿性(xing)或酸性(xing)腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)液(ye)蝕(shi)(shi)(shi)去約(yue)20~25μm，在腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)絨(rong)(rong)面(mian)(mian)后，進行(xing)一般的化學清洗。經過(guo)表面(mian)(mian)準備的硅片都(dou)不宜在水中(zhong)久(jiu)存，以防沾污(wu)，應盡快擴散制結。
3、擴散(san)制(zhi)結，太陽能(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)需要(yao)一個大面積(ji)的(de)PN結以(yi)實(shi)現光能(neng)到電(dian)(dian)(dian)能(neng)的(de)轉換，而擴散(san)爐即為制(zhi)造(zao)太陽能(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)PN結的(de)專用(yong)設(she)備。管式(shi)擴散(san)爐主要(yao)由石英(ying)舟的(de)上(shang)下載部分(fen)、廢(fei)氣室、爐體部分(fen)和氣柜部分(fen)等四大部分(fen)組成。擴散(san)一般用(yong)三(san)氯氧磷(lin)液態源作為擴散(san)源。制(zhi)造(zao)PN結是太陽電(dian)(dian)(dian)池(chi)生產最基(ji)本也是最關鍵的(de)工序。因為正是PN結的(de)形成，才(cai)使電(dian)(dian)(dian)子和空穴在流(liu)動(dong)后(hou)不(bu)再(zai)回到原處，這樣就形成了電(dian)(dian)(dian)流(liu)，用(yong)導線將(jiang)電(dian)(dian)(dian)流(liu)引出(chu)，就是直流(liu)電(dian)(dian)(dian)。
4、去(qu)磷硅玻璃(li)(li)，該工(gong)藝用于太陽能(neng)(neng)電池片(pian)生(sheng)(sheng)(sheng)產制造(zao)過程(cheng)中(zhong)，通過化學腐蝕法也即(ji)把(ba)硅片(pian)放在(zai)氫氟(fu)酸溶液(ye)中(zhong)浸(jin)泡，使(shi)其產生(sheng)(sheng)(sheng)化學反(fan)(fan)應(ying)生(sheng)(sheng)(sheng)成可溶性(xing)的(de)(de)(de)絡和(he)物六氟(fu)硅酸，以去(qu)除(chu)擴散制結后在(zai)硅片(pian)表面形成的(de)(de)(de)一層磷硅玻璃(li)(li)。氫氟(fu)酸能(neng)(neng)夠溶解(jie)二(er)氧(yang)化硅是因為氫氟(fu)酸與二(er)氧(yang)化硅反(fan)(fan)應(ying)生(sheng)(sheng)(sheng)成易揮(hui)發的(de)(de)(de)四氟(fu)化硅氣體。若氫氟(fu)酸過量，反(fan)(fan)應(ying)生(sheng)(sheng)(sheng)成的(de)(de)(de)四氟(fu)化硅會進一步與氫氟(fu)酸反(fan)(fan)應(ying)生(sheng)(sheng)(sheng)成可溶性(xing)的(de)(de)(de)絡和(he)物六氟(fu)硅酸。
5、等離子刻(ke)蝕，由(you)于在(zai)擴(kuo)(kuo)散過程中，即使采用(yong)背(bei)靠背(bei)擴(kuo)(kuo)散，硅(gui)片的(de)所有表面包括邊緣都將不(bu)可避免地擴(kuo)(kuo)散上磷。PN結的(de)正面所收集到(dao)的(de)光生電(dian)子會沿著邊緣擴(kuo)(kuo)散有磷的(de)區域流到(dao)PN結的(de)背(bei)面，而造成短(duan)路。因此，必須對(dui)太陽能(neng)電(dian)池(chi)周邊的(de)摻雜硅(gui)進(jin)行刻(ke)蝕，以(yi)去除電(dian)池(chi)邊緣的(de)PN結。
6、鍍減(jian)反(fan)射(she)(she)膜，拋光硅表面的(de)反(fan)射(she)(she)率為(wei)(wei)35%，為(wei)(wei)了減(jian)少表面反(fan)射(she)(she)，提高電池的(de)轉換(huan)效率，需要(yao)沉積一層氮化硅減(jian)反(fan)射(she)(she)膜。工業生產中(zhong)常采用PECVD設備制(zhi)備減(jian)反(fan)射(she)(she)膜。PECVD即(ji)等離子增強型化學氣相沉積。
7、絲網(wang)(wang)印(yin)(yin)刷(shua)(shua)，太陽電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)經(jing)過制(zhi)絨、擴散及PECVD等(deng)工序后，已經(jing)制(zhi)成PN結(jie)，可以在光照下產生(sheng)(sheng)電(dian)(dian)流，為了將產生(sheng)(sheng)的(de)(de)電(dian)(dian)流導出，需(xu)要(yao)在電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)表面(mian)上制(zhi)作(zuo)正、負兩個電(dian)(dian)極(ji)。制(zhi)造電(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)方法很多，而(er)絲網(wang)(wang)印(yin)(yin)刷(shua)(shua)是目前制(zhi)作(zuo)太陽電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)電(dian)(dian)極(ji)最普遍的(de)(de)一種生(sheng)(sheng)產工藝。絲網(wang)(wang)印(yin)(yin)刷(shua)(shua)是采用(yong)壓印(yin)(yin)的(de)(de)方式將預(yu)定的(de)(de)圖形印(yin)(yin)刷(shua)(shua)在基板(ban)上，該設備由電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)背(bei)面(mian)銀鋁(lv)漿(jiang)(jiang)印(yin)(yin)刷(shua)(shua)、電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)背(bei)面(mian)鋁(lv)漿(jiang)(jiang)印(yin)(yin)刷(shua)(shua)和電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)正面(mian)銀漿(jiang)(jiang)印(yin)(yin)刷(shua)(shua)三部分組(zu)成。
8、快(kuai)速燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)，經(jing)過絲網(wang)印刷(shua)后的(de)硅片，不能直(zhi)接(jie)使(shi)用(yong)，需(xu)經(jing)燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)爐(lu)快(kuai)速燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)，將有機樹脂粘(zhan)合(he)劑燃燒(shao)(shao)掉，剩下幾乎純粹的(de)、由于(yu)玻璃質作用(yong)而密合(he)在硅片上(shang)的(de)銀電極。燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)爐(lu)分為預燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)、燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)、降(jiang)溫(wen)冷卻(que)三個(ge)階(jie)段。預燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)階(jie)段目的(de)是使(shi)漿(jiang)料(liao)中的(de)高分子(zi)粘(zhan)合(he)劑分解、燃燒(shao)(shao)掉，此(ci)階(jie)段溫(wen)度慢(man)慢(man)上(shang)升；燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)階(jie)段中燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)體內完成各種物理(li)化(hua)學反應，形成電阻(zu)(zu)膜結(jie)(jie)(jie)構(gou)，使(shi)其真正具有電阻(zu)(zu)特性，該階(jie)段溫(wen)度達到峰值;降(jiang)溫(wen)冷卻(que)階(jie)段，玻璃冷卻(que)硬化(hua)并凝固，使(shi)電阻(zu)(zu)膜結(jie)(jie)(jie)構(gou)固定(ding)地粘(zhan)附于(yu)基片上(shang)。
9、外圍(wei)設備(bei)在電池(chi)(chi)片(pian)生(sheng)產(chan)過程中(zhong)，還需要(yao)供(gong)電、動力、給(gei)水、排水、暖通、真空、特(te)汽等(deng)外圍(wei)設施。消防和環保(bao)(bao)設備(bei)對于(yu)保(bao)(bao)證安全(quan)和持續發展(zhan)也(ye)顯(xian)得尤為重要(yao)。考慮到特(te)殊氣體如硅烷的(de)安全(quan)因素，還需要(yao)單獨設置一個特(te)氣間，以絕對保(bao)(bao)證生(sheng)產(chan)安全(quan)。另外，硅烷燃燒塔(ta)、污水處(chu)理站等(deng)也(ye)是(shi)電池(chi)(chi)片(pian)生(sheng)產(chan)的(de)必備(bei)設施。
