一、太陽能硅片N型和P型的區別在哪里
N型電(dian)池片采用n型硅片，P型電(dian)池片采用p型硅片。
N型和P型單晶(jing)硅片的區(qu)別主要為：
1、摻雜的元素不同：單晶(jing)硅(gui)中摻(chan)磷是N型(xing)，單晶(jing)硅(gui)中摻(chan)硼為(wei)P型(xing)。
2、導電不同：N型是(shi)電(dian)子導電(dian)，P型是(shi)空穴導電(dian)。
二、太陽能硅片制作流程是怎么樣的
太陽能(neng)硅(gui)片(pian)的生產工藝流程分為硅(gui)片(pian)檢(jian)測--表(biao)面制(zhi)絨(rong)及(ji)酸(suan)洗--擴散制(zhi)結(jie)--去磷硅(gui)玻璃--等離(li)子(zi)刻蝕(shi)及(ji)酸(suan)洗--鍍減反射膜--絲網印刷(shua)--快速燒(shao)結(jie)等。具體介紹(shao)如下:
1、硅片檢(jian)測(ce)，硅(gui)片(pian)(pian)質量(liang)的好(hao)壞(huai)直(zhi)接決定了太(tai)陽能(neng)電池(chi)片(pian)(pian)轉(zhuan)換效率(lv)(lv)的高低，因(yin)此需要(yao)(yao)對(dui)來料硅(gui)片(pian)(pian)進行(xing)檢(jian)測(ce)。在進行(xing)少(shao)子壽(shou)命和電阻率(lv)(lv)檢(jian)測(ce)之前，需要(yao)(yao)先(xian)對(dui)硅(gui)片(pian)(pian)的對(dui)角線(xian)、微裂(lie)紋(wen)進行(xing)檢(jian)測(ce)，并(bing)自(zi)動(dong)剔除破損硅(gui)片(pian)(pian)。硅(gui)片(pian)(pian)檢(jian)測(ce)設備能(neng)夠自(zi)動(dong)裝片(pian)(pian)和卸片(pian)(pian)，并(bing)且能(neng)夠將不合格(ge)品放到(dao)固定位置，從而提高檢(jian)測(ce)精度和效率(lv)(lv)。
2、表面(mian)(mian)制(zhi)絨，單晶硅(gui)絨面(mian)(mian)的制(zhi)備是利用硅(gui)的各向異性腐(fu)蝕，在(zai)(zai)每(mei)平方厘米硅(gui)表面(mian)(mian)形成(cheng)幾百萬個四面(mian)(mian)方錐(zhui)體(ti)也即金(jin)字塔結構。制(zhi)備絨面(mian)(mian)前，硅(gui)片(pian)須先進(jin)行(xing)初步表面(mian)(mian)腐(fu)蝕，用堿性或酸性腐(fu)蝕液蝕去(qu)約(yue)20~25μm，在(zai)(zai)腐(fu)蝕絨面(mian)(mian)后，進(jin)行(xing)一般的化(hua)學清(qing)洗(xi)。經過表面(mian)(mian)準備的硅(gui)片(pian)都不宜在(zai)(zai)水中久(jiu)存(cun)，以防沾污，應盡快擴散制(zhi)結。
3、擴(kuo)(kuo)散制結(jie)，太陽(yang)能(neng)電(dian)(dian)池需要一個大(da)面積(ji)的(de)(de)PN結(jie)以實(shi)現光(guang)能(neng)到電(dian)(dian)能(neng)的(de)(de)轉換，而擴(kuo)(kuo)散爐即為(wei)制造太陽(yang)能(neng)電(dian)(dian)池PN結(jie)的(de)(de)專用設備。管(guan)式擴(kuo)(kuo)散爐主要由石(shi)英舟的(de)(de)上下載部(bu)(bu)(bu)分、廢(fei)氣室、爐體部(bu)(bu)(bu)分和(he)氣柜部(bu)(bu)(bu)分等四(si)大(da)部(bu)(bu)(bu)分組成。擴(kuo)(kuo)散一般用三(san)氯氧磷(lin)液態源(yuan)作為(wei)擴(kuo)(kuo)散源(yuan)。制造PN結(jie)是(shi)太陽(yang)電(dian)(dian)池生(sheng)產(chan)最(zui)基本也是(shi)最(zui)關鍵的(de)(de)工序(xu)。因為(wei)正(zheng)是(shi)PN結(jie)的(de)(de)形成，才使(shi)電(dian)(dian)子和(he)空(kong)穴在流動后(hou)不再(zai)回到原處，這樣就形成了(le)電(dian)(dian)流，用導(dao)線將(jiang)電(dian)(dian)流引出，就是(shi)直(zhi)流電(dian)(dian)。
4、去磷(lin)(lin)硅(gui)(gui)(gui)玻璃，該工(gong)藝用于太陽能(neng)電池片生產制造過程中(zhong)(zhong)，通(tong)過化(hua)(hua)學腐蝕法也即把硅(gui)(gui)(gui)片放在氫(qing)氟(fu)酸溶(rong)(rong)(rong)液中(zhong)(zhong)浸泡(pao)，使其產生化(hua)(hua)學反應(ying)生成可溶(rong)(rong)(rong)性(xing)的(de)(de)絡(luo)(luo)和(he)物(wu)六氟(fu)硅(gui)(gui)(gui)酸，以去除擴(kuo)散(san)制結后在硅(gui)(gui)(gui)片表面形成的(de)(de)一(yi)層磷(lin)(lin)硅(gui)(gui)(gui)玻璃。氫(qing)氟(fu)酸能(neng)夠溶(rong)(rong)(rong)解二氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)是因(yin)為(wei)氫(qing)氟(fu)酸與二氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)反應(ying)生成易揮發的(de)(de)四氟(fu)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)氣體。若氫(qing)氟(fu)酸過量，反應(ying)生成的(de)(de)四氟(fu)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)會進一(yi)步與氫(qing)氟(fu)酸反應(ying)生成可溶(rong)(rong)(rong)性(xing)的(de)(de)絡(luo)(luo)和(he)物(wu)六氟(fu)硅(gui)(gui)(gui)酸。
5、等離子(zi)(zi)刻(ke)蝕(shi)，由于在擴散(san)過(guo)程(cheng)中(zhong)，即(ji)使采(cai)用背靠背擴散(san)，硅片(pian)的(de)所有表面(mian)包括邊(bian)(bian)緣都(dou)將不可(ke)避(bi)免地擴散(san)上磷。PN結(jie)的(de)正面(mian)所收集到的(de)光(guang)生(sheng)電子(zi)(zi)會沿著邊(bian)(bian)緣擴散(san)有磷的(de)區(qu)域流(liu)到PN結(jie)的(de)背面(mian)，而造成短路。因(yin)此，必須對太陽能電池(chi)周(zhou)邊(bian)(bian)的(de)摻雜硅進行刻(ke)蝕(shi)，以去除電池(chi)邊(bian)(bian)緣的(de)PN結(jie)。
6、鍍減(jian)反(fan)射(she)膜，拋(pao)光硅表面的反(fan)射(she)率(lv)為35%，為了減(jian)少(shao)表面反(fan)射(she)，提高(gao)電(dian)池的轉換效率(lv)，需要沉(chen)積一層氮(dan)化硅減(jian)反(fan)射(she)膜。工業生產中(zhong)常采用PECVD設備制備減(jian)反(fan)射(she)膜。PECVD即等離子增強型化學氣相沉(chen)積。
7、絲網印(yin)(yin)刷，太陽電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)經過制(zhi)絨(rong)、擴散及PECVD等工序(xu)后，已經制(zhi)成(cheng)(cheng)PN結(jie)，可以在(zai)光照下產(chan)(chan)生(sheng)電(dian)(dian)(dian)流(liu)，為了(le)將產(chan)(chan)生(sheng)的(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)導出，需要在(zai)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)表面(mian)上制(zhi)作正、負(fu)兩個電(dian)(dian)(dian)極(ji)。制(zhi)造電(dian)(dian)(dian)極(ji)的(de)方法很多，而絲網印(yin)(yin)刷是目前(qian)制(zhi)作太陽電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)電(dian)(dian)(dian)極(ji)最(zui)普遍的(de)一(yi)種生(sheng)產(chan)(chan)工藝(yi)。絲網印(yin)(yin)刷是采用壓印(yin)(yin)的(de)方式將預定的(de)圖(tu)形印(yin)(yin)刷在(zai)基(ji)板上，該設備由(you)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)背面(mian)銀鋁漿(jiang)(jiang)印(yin)(yin)刷、電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)背面(mian)鋁漿(jiang)(jiang)印(yin)(yin)刷和電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)正面(mian)銀漿(jiang)(jiang)印(yin)(yin)刷三部分組成(cheng)(cheng)。
8、快速燒(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)，經(jing)過絲網印刷后(hou)的硅片(pian)，不能直(zhi)接使用(yong)，需(xu)經(jing)燒(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)爐快速燒(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)，將有(you)機樹(shu)脂粘合(he)劑(ji)燃燒(shao)(shao)(shao)(shao)掉，剩下幾乎純粹的、由于(yu)(yu)玻璃質作用(yong)而密(mi)合(he)在硅片(pian)上的銀電極(ji)。燒(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)爐分(fen)為預燒(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)、燒(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)、降溫冷卻(que)(que)三個階(jie)(jie)段(duan)。預燒(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)階(jie)(jie)段(duan)目的是使漿料中的高(gao)分(fen)子粘合(he)劑(ji)分(fen)解、燃燒(shao)(shao)(shao)(shao)掉，此階(jie)(jie)段(duan)溫度(du)(du)慢(man)慢(man)上升(sheng)；燒(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)階(jie)(jie)段(duan)中燒(shao)(shao)(shao)(shao)結(jie)體內完成(cheng)各種(zhong)物理化學(xue)反應，形成(cheng)電阻(zu)膜(mo)結(jie)構，使其真正具有(you)電阻(zu)特性(xing)，該(gai)階(jie)(jie)段(duan)溫度(du)(du)達(da)到峰值;降溫冷卻(que)(que)階(jie)(jie)段(duan)，玻璃冷卻(que)(que)硬化并凝(ning)固，使電阻(zu)膜(mo)結(jie)構固定地(di)粘附于(yu)(yu)基片(pian)上。
9、外(wai)(wai)圍設備在電(dian)(dian)池片生(sheng)(sheng)產(chan)過程(cheng)中(zhong)，還(huan)(huan)需要(yao)(yao)供電(dian)(dian)、動力、給水、排(pai)水、暖通(tong)、真空(kong)、特汽等(deng)外(wai)(wai)圍設施。消防和環保設備對于(yu)保證安(an)全和持(chi)續發(fa)展也顯(xian)得尤(you)為重要(yao)(yao)。考慮到特殊氣體如(ru)硅烷的(de)安(an)全因素，還(huan)(huan)需要(yao)(yao)單獨設置一個特氣間，以絕對保證生(sheng)(sheng)產(chan)安(an)全。另外(wai)(wai)，硅烷燃燒塔、污水處理站等(deng)也是電(dian)(dian)池片生(sheng)(sheng)產(chan)的(de)必備設施。
