一、常見金屬靶材的種類

常規金屬靶材：鎂Mg、錳(meng)Mn、鐵(tie)Fe、鈷CO、鎳Ni、銅Cu、鋅Zn、鉛(qian)Pd、錫Sn、鋁AL。

小(xiao)金屬靶(ba)材：銦In、鍺Ge、鎵Ga、銻Sb、鉍Bi、鎘Cd。

難熔(rong)金屬靶(ba)材：鈦Ti、鋯Zr、鉿Hf、釩V鈮Nb、鉭Ta、銘Cr、鉬Mo、鎢W、錸Re。

貴金(jin)屬(shu)靶材：金(jin)Au、銀Ag、鈀(ba)Pd、鉑Pt、銥lr、釕Ru、銠Rh、鋨Os。

半金(jin)屬靶材：碳C、硼B、碲Te、硒(xi)Se。

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二、金屬靶材是干什么的

金屬靶材應用主要包(bao)括平板顯示器(qi)、半導(dao)體、太陽能電池、記錄媒體等(deng)領(ling)域。其(qi)中(zhong)平板顯示器(qi)占33.80%，半導(dao)體占11.40%，太陽能電池占18.50%，記錄媒體占28.60%。

半導體(ti)芯(xin)片(pian)(pian)用(yong)金屬(shu)(shu)濺(jian)射(she)靶材的(de)(de)作用(yong)，就是給芯(xin)片(pian)(pian)上制作傳遞信息的(de)(de)金屬(shu)(shu)導線。具體(ti)的(de)(de)濺(jian)射(she)過程：首(shou)先(xian)利用(yong)高(gao)(gao)速離(li)子(zi)流，在高(gao)(gao)真空條件下分(fen)別去轟擊不同種類的(de)(de)金屬(shu)(shu)濺(jian)射(she)靶材的(de)(de)表面(mian)，使各(ge)種靶材表面(mian)的(de)(de)原(yuan)子(zi)一層(ceng)一層(ceng)地沉(chen)積在半導體(ti)芯(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)表面(mian)上，然后再通過的(de)(de)特(te)殊加工工藝，將沉(chen)積在芯(xin)片(pian)(pian)表面(mian)的(de)(de)金屬(shu)(shu)薄膜刻(ke)蝕(shi)成納米(mi)級別的(de)(de)金屬(shu)(shu)線，將芯(xin)片(pian)(pian)內部數以億計(ji)的(de)(de)微型晶體(ti)管相(xiang)互連接起(qi)來，從而起(qi)到傳遞信號的(de)(de)作用(yong)。

行(xing)業用的(de)(de)(de)金(jin)屬(shu)濺(jian)射(she)靶材(cai)(cai)(cai)，主要種類包括：銅(tong)、鉭、鋁(lv)、鈦(tai)、鈷(gu)和鎢等(deng)高純濺(jian)射(she)靶材(cai)(cai)(cai)，以及鎳鉑、鎢鈦(tai)等(deng)合金(jin)類的(de)(de)(de)金(jin)屬(shu)濺(jian)射(she)靶材(cai)(cai)(cai)。銅(tong)靶和鉭靶通(tong)常(chang)配合起來使用。目(mu)前(qian)晶圓(yuan)的(de)(de)(de)制造正(zheng)朝著更小的(de)(de)(de)制程方向(xiang)發展，銅(tong)導(dao)線工藝的(de)(de)(de)應用量在逐步增大(da)，因(yin)此(ci)，銅(tong)和鉭靶材(cai)(cai)(cai)的(de)(de)(de)需求將(jiang)有(you)望持續增長。鋁(lv)靶和鈦(tai)靶通(tong)常(chang)配合起來使用。目(mu)前(qian)，在汽車電子(zi)芯片等(deng)需要110nm以上技術節點來保證(zheng)其(qi)穩定性和抗(kang)干擾性的(de)(de)(de)領域，仍需大(da)量使用鋁(lv)、鈦(tai)靶材(cai)(cai)(cai)。

應用于超大規模集成電路芯片、液晶面板、薄膜太陽能電池制造的物理氣相沉積（PVD）工藝，用于制備電子薄膜材料，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等金屬靶材。