一、常見金屬靶材的種類

常規金屬靶材：鎂Mg、錳(meng)Mn、鐵Fe、鈷CO、鎳Ni、銅Cu、鋅Zn、鉛Pd、錫Sn、鋁AL。

小金(jin)屬靶材：銦In、鍺Ge、鎵Ga、銻Sb、鉍Bi、鎘Cd。

難熔金屬靶材：鈦Ti、鋯Zr、鉿Hf、釩V鈮Nb、鉭Ta、銘Cr、鉬(mu)Mo、鎢W、錸Re。

貴金(jin)屬靶材(cai)：金(jin)Au、銀(yin)Ag、鈀Pd、鉑Pt、銥lr、釕Ru、銠Rh、鋨Os。

半(ban)金屬靶材：碳(tan)C、硼B、碲(di)Te、硒Se。

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二、金屬靶材是干什么的

金(jin)屬靶材應用主要包(bao)括(kuo)平(ping)板顯(xian)示(shi)器、半導體、太陽(yang)能電池(chi)、記錄(lu)媒(mei)(mei)體等(deng)領域(yu)。其(qi)中平(ping)板顯(xian)示(shi)器占33.80%，半導體占11.40%，太陽(yang)能電池(chi)占18.50%，記錄(lu)媒(mei)(mei)體占28.60%。

半導(dao)體(ti)芯(xin)片用金(jin)(jin)屬濺(jian)射(she)靶(ba)材(cai)的(de)(de)(de)作(zuo)用，就(jiu)是給芯(xin)片上制作(zuo)傳(chuan)遞信(xin)息的(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬導(dao)線(xian)。具體(ti)的(de)(de)(de)濺(jian)射(she)過(guo)程(cheng)：首(shou)先(xian)利用高速離(li)子流，在(zai)高真空條件下分別去轟擊不同種類的(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬濺(jian)射(she)靶(ba)材(cai)的(de)(de)(de)表面(mian)，使各種靶(ba)材(cai)表面(mian)的(de)(de)(de)原子一(yi)層一(yi)層地沉積(ji)在(zai)半導(dao)體(ti)芯(xin)片的(de)(de)(de)表面(mian)上，然后再通過(guo)的(de)(de)(de)特殊加工工藝，將沉積(ji)在(zai)芯(xin)片表面(mian)的(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬薄膜刻蝕成納米(mi)級別的(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬線(xian)，將芯(xin)片內(nei)部數(shu)以億計的(de)(de)(de)微型晶體(ti)管相互連接起來，從而(er)起到傳(chuan)遞信(xin)號(hao)的(de)(de)(de)作(zuo)用。

行業用(yong)的(de)金(jin)屬濺射(she)靶(ba)(ba)材，主要(yao)種類包(bao)括：銅、鉭(tan)、鋁(lv)、鈦(tai)(tai)、鈷和(he)(he)鎢等(deng)高純濺射(she)靶(ba)(ba)材，以(yi)及鎳(nie)鉑(bo)、鎢鈦(tai)(tai)等(deng)合金(jin)類的(de)金(jin)屬濺射(she)靶(ba)(ba)材。銅靶(ba)(ba)和(he)(he)鉭(tan)靶(ba)(ba)通(tong)常(chang)配合起(qi)來(lai)(lai)使(shi)用(yong)。目(mu)前晶圓的(de)制造(zao)正朝著更小的(de)制程方向發展(zhan)，銅導(dao)線工藝的(de)應用(yong)量在逐步(bu)增(zeng)(zeng)大，因此(ci)，銅和(he)(he)鉭(tan)靶(ba)(ba)材的(de)需(xu)(xu)求將有(you)望(wang)持續增(zeng)(zeng)長(chang)。鋁(lv)靶(ba)(ba)和(he)(he)鈦(tai)(tai)靶(ba)(ba)通(tong)常(chang)配合起(qi)來(lai)(lai)使(shi)用(yong)。目(mu)前，在汽車電子(zi)芯片等(deng)需(xu)(xu)要(yao)110nm以(yi)上技術節(jie)點來(lai)(lai)保證其穩定性(xing)(xing)和(he)(he)抗干(gan)擾性(xing)(xing)的(de)領域，仍需(xu)(xu)大量使(shi)用(yong)鋁(lv)、鈦(tai)(tai)靶(ba)(ba)材。

應用于超大規模集成電路芯片、液晶面板、薄膜太陽能電池制造的物理氣相沉積（PVD）工藝，用于制備電子薄膜材料，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等金屬靶材。