一、常見金屬靶材的種類

常規金屬靶材：鎂Mg、錳Mn、鐵Fe、鈷CO、鎳Ni、銅(tong)Cu、鋅Zn、鉛(qian)Pd、錫(xi)Sn、鋁AL。

小金屬(shu)靶(ba)材(cai)：銦In、鍺Ge、鎵(jia)Ga、銻(ti)Sb、鉍(bi)Bi、鎘Cd。

難熔金屬(shu)靶材：鈦Ti、鋯Zr、鉿Hf、釩V鈮Nb、鉭Ta、銘(ming)Cr、鉬Mo、鎢W、錸Re。

貴金屬靶材：金Au、銀Ag、鈀Pd、鉑(bo)Pt、銥lr、釕(liao)Ru、銠Rh、鋨Os。

半(ban)金屬靶材：碳C、硼B、碲(di)Te、硒Se。

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二、金屬靶材是干什么的

金屬靶(ba)材應用主要包(bao)括平板顯(xian)示(shi)器、半導體(ti)、太陽能電(dian)(dian)池(chi)、記(ji)錄媒體(ti)等領(ling)域。其中平板顯(xian)示(shi)器占33.80%，半導體(ti)占11.40%，太陽能電(dian)(dian)池(chi)占18.50%，記(ji)錄媒體(ti)占28.60%。

半導體芯(xin)片用金(jin)屬濺射(she)靶材的(de)(de)(de)作用，就是(shi)給芯(xin)片上制作傳遞信息的(de)(de)(de)金(jin)屬導線。具體的(de)(de)(de)濺射(she)過程：首先利用高速離(li)子流，在高真(zhen)空(kong)條件下分別去轟擊不同種類(lei)的(de)(de)(de)金(jin)屬濺射(she)靶材的(de)(de)(de)表(biao)(biao)面，使各種靶材表(biao)(biao)面的(de)(de)(de)原子一層一層地沉積(ji)在半導體芯(xin)片的(de)(de)(de)表(biao)(biao)面上，然后再通過的(de)(de)(de)特殊加工(gong)工(gong)藝(yi)，將(jiang)沉積(ji)在芯(xin)片表(biao)(biao)面的(de)(de)(de)金(jin)屬薄膜刻蝕成(cheng)納米級別的(de)(de)(de)金(jin)屬線，將(jiang)芯(xin)片內部數以億計的(de)(de)(de)微型晶體管相互連接起來，從而起到傳遞信號的(de)(de)(de)作用。

行業用(yong)的(de)(de)(de)金(jin)屬(shu)濺射(she)靶(ba)(ba)材(cai)，主要種類(lei)包括：銅、鉭、鋁、鈦(tai)、鈷(gu)和(he)鎢等高純濺射(she)靶(ba)(ba)材(cai)，以及鎳鉑、鎢鈦(tai)等合(he)(he)金(jin)類(lei)的(de)(de)(de)金(jin)屬(shu)濺射(she)靶(ba)(ba)材(cai)。銅靶(ba)(ba)和(he)鉭靶(ba)(ba)通常配合(he)(he)起來使用(yong)。目(mu)前晶(jing)圓的(de)(de)(de)制(zhi)造正朝著更小的(de)(de)(de)制(zhi)程(cheng)方向發展，銅導線工藝的(de)(de)(de)應用(yong)量在逐步增大(da)，因此(ci)，銅和(he)鉭靶(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)(de)需求將有望持續增長(chang)。鋁靶(ba)(ba)和(he)鈦(tai)靶(ba)(ba)通常配合(he)(he)起來使用(yong)。目(mu)前，在汽車電子芯片等需要110nm以上(shang)技術節點來保(bao)證(zheng)其(qi)穩定性和(he)抗干擾性的(de)(de)(de)領域(yu)，仍需大(da)量使用(yong)鋁、鈦(tai)靶(ba)(ba)材(cai)。

應用于超大規模集成電路芯片、液晶面板、薄膜太陽能電池制造的物理氣相沉積（PVD）工藝，用于制備電子薄膜材料，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等金屬靶材。