一、常見金屬靶材的種類

常規金屬靶材：鎂Mg、錳Mn、鐵Fe、鈷(gu)CO、鎳Ni、銅(tong)Cu、鋅Zn、鉛Pd、錫Sn、鋁AL。

小(xiao)金屬靶材：銦In、鍺Ge、鎵Ga、銻(ti)Sb、鉍(bi)Bi、鎘Cd。

難熔(rong)金屬靶材：鈦Ti、鋯Zr、鉿Hf、釩(fan)V鈮Nb、鉭(tan)Ta、銘Cr、鉬Mo、鎢W、錸(lai)Re。

貴金屬(shu)靶材：金Au、銀Ag、鈀(ba)Pd、鉑Pt、銥lr、釕Ru、銠Rh、鋨Os。

半(ban)金屬靶材(cai)：碳C、硼B、碲(di)Te、硒Se。

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二、金屬靶材是干什么的

金屬靶(ba)材應用主要包括平(ping)板顯示器、半導體、太陽(yang)能電池、記錄(lu)媒體等領域。其中平(ping)板顯示器占33.80%，半導體占11.40%，太陽(yang)能電池占18.50%，記錄(lu)媒體占28.60%。

半導體(ti)芯片用(yong)金(jin)(jin)屬濺(jian)(jian)射(she)靶(ba)材(cai)的(de)(de)(de)(de)作用(yong)，就是給芯片上(shang)制作傳遞(di)信息的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬導線。具體(ti)的(de)(de)(de)(de)濺(jian)(jian)射(she)過程：首先(xian)利用(yong)高速離子流，在(zai)高真空條件下分別去(qu)轟擊不同種類的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬濺(jian)(jian)射(she)靶(ba)材(cai)的(de)(de)(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)，使各種靶(ba)材(cai)表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)原子一層(ceng)一層(ceng)地(di)沉(chen)積在(zai)半導體(ti)芯片的(de)(de)(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)上(shang)，然后再通(tong)過的(de)(de)(de)(de)特殊加(jia)工工藝，將沉(chen)積在(zai)芯片表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬薄(bo)膜刻蝕成(cheng)納米級(ji)別的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬線，將芯片內部數以(yi)億(yi)計的(de)(de)(de)(de)微型晶體(ti)管相互連接(jie)起來，從而(er)起到傳遞(di)信號(hao)的(de)(de)(de)(de)作用(yong)。

行業用的(de)(de)金(jin)屬濺射(she)靶(ba)材，主要種類包括：銅(tong)、鉭(tan)、鋁、鈦(tai)、鈷和(he)鎢等(deng)高純濺射(she)靶(ba)材，以及鎳鉑、鎢鈦(tai)等(deng)合金(jin)類的(de)(de)金(jin)屬濺射(she)靶(ba)材。銅(tong)靶(ba)和(he)鉭(tan)靶(ba)通常(chang)配合起來使用。目前晶圓的(de)(de)制(zhi)造正朝(chao)著更(geng)小的(de)(de)制(zhi)程方向(xiang)發展，銅(tong)導線工藝的(de)(de)應用量在(zai)逐步增大，因此，銅(tong)和(he)鉭(tan)靶(ba)材的(de)(de)需(xu)求將有望(wang)持(chi)續增長。鋁靶(ba)和(he)鈦(tai)靶(ba)通常(chang)配合起來使用。目前，在(zai)汽車電子芯片等(deng)需(xu)要110nm以上技術(shu)節點來保證其穩定性(xing)和(he)抗(kang)干(gan)擾(rao)性(xing)的(de)(de)領域，仍(reng)需(xu)大量使用鋁、鈦(tai)靶(ba)材。

應用于超大規模集成電路芯片、液晶面板、薄膜太陽能電池制造的物理氣相沉積（PVD）工藝，用于制備電子薄膜材料，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等金屬靶材。