1、顯(xian)卡(ka)芯片(pian):顯(xian)卡(ka)核(he)心型(xing)號(hao)差(cha)(cha)一(yi)(yi)檔(dang),性(xing)能也就差(cha)(cha)了一(yi)(yi)檔(dang),所以可(ke)根據核(he)心型(xing)號(hao)來(lai)判斷顯(xian)卡(ka)的高(gao)低,例如,N卡(ka)型(xing)號(hao)的前綴(zhui)一(yi)(yi)共有(you)GTX > GTS > GT > GF,其后的兩位(wei)(wei)數(shu)或一(yi)(yi)位(wei)(wei)數(shu)代(dai)表代(dai)數(shu),再其后兩位(wei)(wei)數(shu)越大,表示(shi)(shi)同代(dai)中的性(xing)能就越強(qiang)(qiang),后綴(zhui)有(you)Ti、SE、M、MX,分別表示(shi)(shi)加強(qiang)(qiang)版(ban)、閹割版(ban)、移(yi)動版(ban)、移(yi)動加強(qiang)(qiang)版(ban)。
2、流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)器(qi):流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)器(qi)是顯卡的(de)核心,直接影(ying)響處(chu)(chu)理(li)(li)能(neng)力,對于N卡和A卡來說,流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)單元(yuan)個數越多則處(chu)(chu)理(li)(li)能(neng)力越強。N卡和A卡的(de)流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)單元(yuan)可采取近似比較(jiao),N卡的(de)1個流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)單元(yuan)相當(dang)于AMD的(de)5個流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)單元(yuan)。
3、顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬:顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬表示(shi)一個時鐘周期內所能傳(chuan)送數據的(de)位(wei)(wei)(wei)數,位(wei)(wei)(wei)數越(yue)大則傳(chuan)輸量越(yue)大,常見的(de)有(you)64位(wei)(wei)(wei)、128位(wei)(wei)(wei)和256位(wei)(wei)(wei)顯(xian)卡。在(zai)顯(xian)存(cun)頻率相(xiang)當情況下,顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬決(jue)定著帶寬的(de)大小。
4、顯存類(lei)型(xing):顯存類(lei)型(xing)主要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆(ke)粒主要應(ying)用在低端顯卡上,頻(pin)率一般不超(chao)過200MHz;DDR SDRAM是主流;DDR SGRAM適合繪圖專(zhuan)用。
5、散(san)(san)熱設計:散(san)(san)熱系(xi)統的好壞直接(jie)決(jue)定了性能發揮的穩定性,被動式噪音(yin)低,適合低頻(pin)率顯卡(ka);主(zhu)動式有散(san)(san)熱片和風扇,適合高頻(pin)率顯卡(ka);導流式適合高檔游戲顯卡(ka)。