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1、顯(xian)卡芯片(pian)：顯(xian)卡核心型(xing)號差(cha)(cha)一檔，性能也就(jiu)差(cha)(cha)了一檔，所以可根據核心型(xing)號來判斷(duan)顯(xian)卡的(de)(de)高低，例如，N卡型(xing)號的(de)(de)前綴一共有(you)GTX > GTS > GT > GF，其(qi)(qi)后的(de)(de)兩(liang)位數或(huo)一位數代表(biao)(biao)代數，再其(qi)(qi)后兩(liang)位數越大(da)，表(biao)(biao)示同代中(zhong)的(de)(de)性能就(jiu)越強(qiang)，后綴有(you)Ti、SE、M、MX，分別表(biao)(biao)示加強(qiang)版、閹(yan)割版、移(yi)動版、移(yi)動加強(qiang)版。

2、流處(chu)(chu)理(li)(li)器(qi)：流處(chu)(chu)理(li)(li)器(qi)是顯(xian)卡(ka)(ka)的(de)核(he)心，直接影(ying)響(xiang)處(chu)(chu)理(li)(li)能力，對于(yu)(yu)N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)來說，流處(chu)(chu)理(li)(li)單元(yuan)個(ge)數越多(duo)則處(chu)(chu)理(li)(li)能力越強。N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)的(de)流處(chu)(chu)理(li)(li)單元(yuan)可(ke)采取近似比(bi)較(jiao)，N卡(ka)(ka)的(de)1個(ge)流處(chu)(chu)理(li)(li)單元(yuan)相當于(yu)(yu)AMD的(de)5個(ge)流處(chu)(chu)理(li)(li)單元(yuan)。

3、顯(xian)存(cun)位(wei)寬：顯(xian)存(cun)位(wei)寬表示一(yi)個時鐘(zhong)周期內所(suo)能傳送(song)數(shu)據的(de)位(wei)數(shu)，位(wei)數(shu)越(yue)大則傳輸量越(yue)大，常見(jian)的(de)有64位(wei)、128位(wei)和256位(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻率相(xiang)當情(qing)況(kuang)下，顯(xian)存(cun)位(wei)寬決定(ding)著帶寬的(de)大小。

4、顯(xian)(xian)存類型：顯(xian)(xian)存類型主(zhu)要(yao)有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆(ke)粒(li)主(zhu)要(yao)應用在低端顯(xian)(xian)卡上，頻率一(yi)般不超過(guo)200MHz；DDR SDRAM是主(zhu)流；DDR SGRAM適合繪圖專用。

5、散熱設計：散熱系統的好壞直接決(jue)定(ding)了性能發揮的穩定(ding)性，被動式(shi)噪音低(di)(di)，適(shi)合(he)低(di)(di)頻率顯(xian)卡；主動式(shi)有散熱片和風扇，適(shi)合(he)高(gao)頻率顯(xian)卡；導流式(shi)適(shi)合(he)高(gao)檔游(you)戲顯(xian)卡。