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1、顯(xian)(xian)卡(ka)芯片：顯(xian)(xian)卡(ka)核心型號(hao)差一(yi)檔(dang)(dang)，性(xing)能也就差了一(yi)檔(dang)(dang)，所以可根據(ju)核心型號(hao)來判斷顯(xian)(xian)卡(ka)的高低(di)，例(li)如，N卡(ka)型號(hao)的前綴(zhui)一(yi)共有(you)GTX > GTS > GT > GF，其(qi)后(hou)的兩位(wei)(wei)數(shu)(shu)(shu)或(huo)一(yi)位(wei)(wei)數(shu)(shu)(shu)代表代數(shu)(shu)(shu)，再其(qi)后(hou)兩位(wei)(wei)數(shu)(shu)(shu)越(yue)(yue)大(da)，表示(shi)同代中的性(xing)能就越(yue)(yue)強，后(hou)綴(zhui)有(you)Ti、SE、M、MX，分別(bie)表示(shi)加(jia)(jia)強版(ban)、閹(yan)割版(ban)、移動版(ban)、移動加(jia)(jia)強版(ban)。

2、流(liu)處(chu)(chu)(chu)理器：流(liu)處(chu)(chu)(chu)理器是顯卡(ka)的核(he)心，直接影響處(chu)(chu)(chu)理能(neng)力，對于N卡(ka)和(he)A卡(ka)來(lai)說，流(liu)處(chu)(chu)(chu)理單元(yuan)(yuan)個(ge)數越(yue)多則處(chu)(chu)(chu)理能(neng)力越(yue)強。N卡(ka)和(he)A卡(ka)的流(liu)處(chu)(chu)(chu)理單元(yuan)(yuan)可采取近(jin)似(si)比較，N卡(ka)的1個(ge)流(liu)處(chu)(chu)(chu)理單元(yuan)(yuan)相當(dang)于AMD的5個(ge)流(liu)處(chu)(chu)(chu)理單元(yuan)(yuan)。

3、顯(xian)存位(wei)(wei)(wei)寬：顯(xian)存位(wei)(wei)(wei)寬表(biao)示(shi)一個時鐘周期內所能(neng)傳(chuan)送(song)數據的位(wei)(wei)(wei)數，位(wei)(wei)(wei)數越大(da)則傳(chuan)輸量越大(da)，常見的有64位(wei)(wei)(wei)、128位(wei)(wei)(wei)和(he)256位(wei)(wei)(wei)顯(xian)卡(ka)。在顯(xian)存頻率相當情況下，顯(xian)存位(wei)(wei)(wei)寬決(jue)定著(zhu)帶(dai)寬的大(da)小(xiao)。

4、顯(xian)存類型：顯(xian)存類型主要有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三(san)種，SDRAM顆粒主要應用在低端顯(xian)卡上，頻率一般不超過200MHz；DDR SDRAM是主流(liu)；DDR SGRAM適合繪圖專用。

5、散(san)熱(re)設計：散(san)熱(re)系統(tong)的好壞直接決定(ding)了性(xing)能發(fa)揮的穩定(ding)性(xing)，被動式(shi)噪音低，適(shi)合低頻率(lv)顯卡；主動式(shi)有(you)散(san)熱(re)片(pian)和風扇，適(shi)合高頻率(lv)顯卡；導流式(shi)適(shi)合高檔游戲顯卡。