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1、顯(xian)卡(ka)芯片：顯(xian)卡(ka)核心(xin)(xin)型號(hao)差(cha)一(yi)(yi)檔(dang)，性能也就差(cha)了一(yi)(yi)檔(dang)，所(suo)以可根據(ju)核心(xin)(xin)型號(hao)來判斷顯(xian)卡(ka)的(de)高低，例如，N卡(ka)型號(hao)的(de)前綴一(yi)(yi)共(gong)有GTX > GTS > GT > GF，其后的(de)兩(liang)位(wei)數(shu)或(huo)一(yi)(yi)位(wei)數(shu)代表代數(shu)，再其后兩(liang)位(wei)數(shu)越大，表示(shi)同代中的(de)性能就越強(qiang)，后綴有Ti、SE、M、MX，分別表示(shi)加強(qiang)版(ban)、閹割版(ban)、移動(dong)版(ban)、移動(dong)加強(qiang)版(ban)。

2、流(liu)處(chu)理(li)器：流(liu)處(chu)理(li)器是顯卡(ka)(ka)的核(he)心(xin)，直接影(ying)響(xiang)處(chu)理(li)能(neng)力(li)，對(dui)于(yu)N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)來說(shuo)，流(liu)處(chu)理(li)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)個數越多(duo)則處(chu)理(li)能(neng)力(li)越強。N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)的流(liu)處(chu)理(li)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)可采取近(jin)似比較，N卡(ka)(ka)的1個流(liu)處(chu)理(li)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)相(xiang)當于(yu)AMD的5個流(liu)處(chu)理(li)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)。

3、顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)：顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)表示一個(ge)時鐘周(zhou)期內(nei)所能傳送數據的位(wei)(wei)數，位(wei)(wei)數越大則傳輸量越大，常見的有64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和256位(wei)(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻率相當情(qing)況(kuang)下，顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)決定著帶寬(kuan)(kuan)的大小。

4、顯(xian)存類(lei)型：顯(xian)存類(lei)型主(zhu)要(yao)(yao)有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆粒主(zhu)要(yao)(yao)應用(yong)在低端顯(xian)卡(ka)上，頻率一般不(bu)超(chao)過(guo)200MHz；DDR SDRAM是主(zhu)流；DDR SGRAM適合繪(hui)圖專用(yong)。

5、散(san)(san)熱設計：散(san)(san)熱系統的(de)好壞直接決定(ding)了性(xing)能(neng)發揮的(de)穩(wen)定(ding)性(xing)，被動(dong)式噪音低，適(shi)合(he)低頻(pin)率(lv)顯(xian)卡；主動(dong)式有散(san)(san)熱片(pian)和風扇(shan)，適(shi)合(he)高頻(pin)率(lv)顯(xian)卡；導流(liu)式適(shi)合(he)高檔(dang)游(you)戲顯(xian)卡。