1、顯(xian)卡芯片:顯(xian)卡核(he)心型(xing)(xing)號差一(yi)(yi)檔,性能(neng)也就差了(le)一(yi)(yi)檔,所(suo)以可根據核(he)心型(xing)(xing)號來(lai)判斷顯(xian)卡的(de)(de)高低,例如(ru),N卡型(xing)(xing)號的(de)(de)前綴一(yi)(yi)共有GTX > GTS > GT > GF,其后的(de)(de)兩(liang)位(wei)數(shu)(shu)或一(yi)(yi)位(wei)數(shu)(shu)代表(biao)代數(shu)(shu),再其后兩(liang)位(wei)數(shu)(shu)越(yue)大,表(biao)示(shi)(shi)同代中的(de)(de)性能(neng)就越(yue)強(qiang),后綴有Ti、SE、M、MX,分別表(biao)示(shi)(shi)加強(qiang)版(ban)、閹割版(ban)、移動版(ban)、移動加強(qiang)版(ban)。
2、流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)器:流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)器是顯卡(ka)的(de)核心,直接影響處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)能力,對于N卡(ka)和(he)A卡(ka)來說,流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)單(dan)(dan)元個(ge)數(shu)越(yue)多(duo)則處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)能力越(yue)強。N卡(ka)和(he)A卡(ka)的(de)流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)單(dan)(dan)元可(ke)采(cai)取近似比較,N卡(ka)的(de)1個(ge)流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)單(dan)(dan)元相當(dang)于AMD的(de)5個(ge)流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)單(dan)(dan)元。
3、顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬(kuan):顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬(kuan)表示一個(ge)時鐘周(zhou)期內所能傳送數據的位(wei)(wei)(wei)數,位(wei)(wei)(wei)數越大則傳輸量越大,常見的有64位(wei)(wei)(wei)、128位(wei)(wei)(wei)和256位(wei)(wei)(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻率相當(dang)情(qing)況下,顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬(kuan)決(jue)定著帶(dai)寬(kuan)的大小。
4、顯(xian)存類型:顯(xian)存類型主(zhu)要(yao)有(you)SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒主(zhu)要(yao)應用(yong)在低端顯(xian)卡上,頻(pin)率一(yi)般不超過(guo)200MHz;DDR SDRAM是(shi)主(zhu)流;DDR SGRAM適合繪圖專用(yong)。
5、散(san)熱設計(ji):散(san)熱系統(tong)的好(hao)壞(huai)直接決定(ding)(ding)了性(xing)能發(fa)揮(hui)的穩定(ding)(ding)性(xing),被動式噪音低,適合(he)低頻率顯(xian)卡;主動式有(you)散(san)熱片和風扇(shan),適合(he)高(gao)頻率顯(xian)卡;導流(liu)式適合(he)高(gao)檔游戲(xi)顯(xian)卡。