1、顯(xian)卡(ka)(ka)(ka)芯片:顯(xian)卡(ka)(ka)(ka)核(he)心型(xing)(xing)號差(cha)(cha)一檔(dang),性(xing)能也就(jiu)差(cha)(cha)了一檔(dang),所(suo)以可根據(ju)核(he)心型(xing)(xing)號來判斷顯(xian)卡(ka)(ka)(ka)的(de)(de)(de)高低,例如,N卡(ka)(ka)(ka)型(xing)(xing)號的(de)(de)(de)前綴一共有GTX > GTS > GT > GF,其后的(de)(de)(de)兩位(wei)(wei)數(shu)(shu)或一位(wei)(wei)數(shu)(shu)代(dai)表(biao)代(dai)數(shu)(shu),再(zai)其后兩位(wei)(wei)數(shu)(shu)越大,表(biao)示同代(dai)中的(de)(de)(de)性(xing)能就(jiu)越強,后綴有Ti、SE、M、MX,分別表(biao)示加強版(ban)、閹(yan)割版(ban)、移(yi)動(dong)版(ban)、移(yi)動(dong)加強版(ban)。
2、流(liu)處理(li)(li)(li)器:流(liu)處理(li)(li)(li)器是顯卡(ka)的(de)核(he)心,直接影響處理(li)(li)(li)能(neng)力,對于N卡(ka)和(he)A卡(ka)來說,流(liu)處理(li)(li)(li)單(dan)元個(ge)(ge)數(shu)越多則處理(li)(li)(li)能(neng)力越強。N卡(ka)和(he)A卡(ka)的(de)流(liu)處理(li)(li)(li)單(dan)元可采取近(jin)似比(bi)較(jiao),N卡(ka)的(de)1個(ge)(ge)流(liu)處理(li)(li)(li)單(dan)元相當于AMD的(de)5個(ge)(ge)流(liu)處理(li)(li)(li)單(dan)元。
3、顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan):顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)表示一個時鐘(zhong)周期內所(suo)能(neng)傳送數據的位(wei)(wei)數,位(wei)(wei)數越大(da)則傳輸量越大(da),常見(jian)的有64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和256位(wei)(wei)顯(xian)卡。在(zai)顯(xian)存(cun)頻率相當情況下,顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)決定著帶寬(kuan)的大(da)小(xiao)。
4、顯(xian)存類型:顯(xian)存類型主(zhu)(zhu)要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種(zhong),SDRAM顆粒(li)主(zhu)(zhu)要應(ying)用(yong)(yong)在低端顯(xian)卡上,頻(pin)率一(yi)般不超過200MHz;DDR SDRAM是主(zhu)(zhu)流;DDR SGRAM適合繪圖(tu)專用(yong)(yong)。
5、散(san)(san)熱設計:散(san)(san)熱系統的好(hao)壞(huai)直接決定了性能發(fa)揮的穩定性,被(bei)動式(shi)噪(zao)音低,適(shi)合低頻(pin)率顯(xian)卡(ka)(ka);主動式(shi)有(you)散(san)(san)熱片(pian)和風扇(shan),適(shi)合高頻(pin)率顯(xian)卡(ka)(ka);導流式(shi)適(shi)合高檔游戲顯(xian)卡(ka)(ka)。