1、顯(xian)卡(ka)芯片:顯(xian)卡(ka)核(he)心型號差一檔,性(xing)能(neng)也就(jiu)差了一檔,所以可根(gen)據核(he)心型號來判斷顯(xian)卡(ka)的高(gao)低,例如,N卡(ka)型號的前綴一共(gong)有GTX > GTS > GT > GF,其(qi)后(hou)的兩(liang)位數或一位數代(dai)表(biao)代(dai)數,再(zai)其(qi)后(hou)兩(liang)位數越大,表(biao)示同(tong)代(dai)中(zhong)的性(xing)能(neng)就(jiu)越強(qiang),后(hou)綴有Ti、SE、M、MX,分別表(biao)示加強(qiang)版(ban)、閹割版(ban)、移動版(ban)、移動加強(qiang)版(ban)。
2、流(liu)處理(li)器:流(liu)處理(li)器是顯(xian)卡(ka)的(de)核(he)心,直(zhi)接影響處理(li)能力,對于N卡(ka)和A卡(ka)來說,流(liu)處理(li)單(dan)(dan)元(yuan)個(ge)數(shu)越(yue)多(duo)則處理(li)能力越(yue)強。N卡(ka)和A卡(ka)的(de)流(liu)處理(li)單(dan)(dan)元(yuan)可采取近(jin)似比較(jiao),N卡(ka)的(de)1個(ge)流(liu)處理(li)單(dan)(dan)元(yuan)相當于AMD的(de)5個(ge)流(liu)處理(li)單(dan)(dan)元(yuan)。
3、顯(xian)存位(wei)(wei)(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)(kuan):顯(xian)存位(wei)(wei)(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)(kuan)表示一個時鐘周期內(nei)所(suo)能傳送數(shu)(shu)(shu)據的位(wei)(wei)(wei)(wei)數(shu)(shu)(shu),位(wei)(wei)(wei)(wei)數(shu)(shu)(shu)越大則(ze)傳輸(shu)量越大,常(chang)見的有(you)64位(wei)(wei)(wei)(wei)、128位(wei)(wei)(wei)(wei)和256位(wei)(wei)(wei)(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存頻率相當情況下,顯(xian)存位(wei)(wei)(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)(kuan)決定著帶寬(kuan)(kuan)(kuan)的大小。
4、顯(xian)(xian)存(cun)類型:顯(xian)(xian)存(cun)類型主要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒主要應用在(zai)低端顯(xian)(xian)卡上(shang),頻率一般不(bu)超過200MHz;DDR SDRAM是(shi)主流;DDR SGRAM適(shi)合(he)繪圖(tu)專用。
5、散(san)熱設計:散(san)熱系統的好壞直接決定了(le)性(xing)能(neng)發揮的穩(wen)定性(xing),被動(dong)式(shi)(shi)噪音低,適合低頻率顯卡;主(zhu)動(dong)式(shi)(shi)有散(san)熱片和(he)風扇,適合高(gao)頻率顯卡;導流式(shi)(shi)適合高(gao)檔游戲(xi)顯卡。