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1、顯(xian)(xian)卡芯片：顯(xian)(xian)卡核心型號(hao)差一(yi)檔，性能也(ye)就(jiu)差了一(yi)檔，所以可根(gen)據(ju)核心型號(hao)來判斷顯(xian)(xian)卡的(de)高低，例如，N卡型號(hao)的(de)前綴一(yi)共有GTX > GTS > GT > GF，其后的(de)兩(liang)(liang)位數(shu)(shu)(shu)或一(yi)位數(shu)(shu)(shu)代(dai)表(biao)代(dai)數(shu)(shu)(shu)，再其后兩(liang)(liang)位數(shu)(shu)(shu)越(yue)大，表(biao)示(shi)同代(dai)中的(de)性能就(jiu)越(yue)強(qiang)，后綴有Ti、SE、M、MX，分(fen)別表(biao)示(shi)加(jia)強(qiang)版(ban)、閹割版(ban)、移(yi)動(dong)版(ban)、移(yi)動(dong)加(jia)強(qiang)版(ban)。

2、流(liu)處(chu)理(li)器：流(liu)處(chu)理(li)器是顯(xian)卡(ka)的核心，直接影響(xiang)處(chu)理(li)能(neng)力，對于(yu)N卡(ka)和A卡(ka)來說，流(liu)處(chu)理(li)單(dan)元個(ge)(ge)數(shu)越多則處(chu)理(li)能(neng)力越強。N卡(ka)和A卡(ka)的流(liu)處(chu)理(li)單(dan)元可采取近似(si)比較，N卡(ka)的1個(ge)(ge)流(liu)處(chu)理(li)單(dan)元相當于(yu)AMD的5個(ge)(ge)流(liu)處(chu)理(li)單(dan)元。

3、顯(xian)存位(wei)寬：顯(xian)存位(wei)寬表(biao)示一個時(shi)鐘周期內所(suo)能傳(chuan)送數(shu)據(ju)的位(wei)數(shu)，位(wei)數(shu)越(yue)大則傳(chuan)輸(shu)量越(yue)大，常(chang)見的有64位(wei)、128位(wei)和256位(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存頻(pin)率相當情況下，顯(xian)存位(wei)寬決定著帶寬的大小。

4、顯存類(lei)型：顯存類(lei)型主要有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三(san)種，SDRAM顆粒主要應(ying)用在低端(duan)顯卡上(shang)，頻(pin)率一般不超過200MHz；DDR SDRAM是主流；DDR SGRAM適合繪圖(tu)專(zhuan)用。

5、散熱設計：散熱系(xi)統的(de)好(hao)壞直接決定了(le)性能發(fa)揮的(de)穩定性，被動式噪音低，適(shi)合(he)(he)低頻(pin)率(lv)顯卡(ka)；主動式有散熱片和風扇，適(shi)合(he)(he)高頻(pin)率(lv)顯卡(ka)；導流式適(shi)合(he)(he)高檔游戲顯卡(ka)。