1、顯(xian)(xian)卡(ka)芯片(pian):顯(xian)(xian)卡(ka)核心型(xing)號(hao)差一(yi)(yi)檔,性(xing)能(neng)也就差了(le)一(yi)(yi)檔,所以可根據(ju)核心型(xing)號(hao)來(lai)判斷顯(xian)(xian)卡(ka)的(de)高(gao)低,例(li)如,N卡(ka)型(xing)號(hao)的(de)前綴一(yi)(yi)共有(you)GTX > GTS > GT > GF,其(qi)后的(de)兩位(wei)(wei)數或(huo)一(yi)(yi)位(wei)(wei)數代表(biao)(biao)代數,再其(qi)后兩位(wei)(wei)數越大,表(biao)(biao)示同代中(zhong)的(de)性(xing)能(neng)就越強(qiang),后綴有(you)Ti、SE、M、MX,分別表(biao)(biao)示加強(qiang)版(ban)、閹割(ge)版(ban)、移動(dong)(dong)版(ban)、移動(dong)(dong)加強(qiang)版(ban)。
2、流處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)器:流處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)器是顯卡(ka)(ka)的(de)核心,直接影響處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)能力(li),對于N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)來(lai)說,流處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)單元個(ge)數越多(duo)則處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)能力(li)越強。N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)的(de)流處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)單元可采取(qu)近似比(bi)較,N卡(ka)(ka)的(de)1個(ge)流處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)單元相當于AMD的(de)5個(ge)流處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)單元。
3、顯存位(wei)(wei)寬:顯存位(wei)(wei)寬表示一(yi)個(ge)時鐘周期內(nei)所能傳(chuan)送數(shu)(shu)據的(de)(de)位(wei)(wei)數(shu)(shu),位(wei)(wei)數(shu)(shu)越(yue)大則(ze)傳(chuan)輸量越(yue)大,常見的(de)(de)有64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和256位(wei)(wei)顯卡。在顯存頻率相當情況下,顯存位(wei)(wei)寬決定著帶(dai)寬的(de)(de)大小。
4、顯存(cun)類(lei)型:顯存(cun)類(lei)型主要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆(ke)粒主要應用在低(di)端顯卡上,頻率一(yi)般不超(chao)過(guo)200MHz;DDR SDRAM是主流;DDR SGRAM適合繪(hui)圖專用。
5、散熱(re)(re)設計(ji):散熱(re)(re)系統的好壞(huai)直接決定(ding)(ding)了(le)性能(neng)發揮的穩定(ding)(ding)性,被動(dong)式(shi)(shi)噪(zao)音低,適合(he)低頻(pin)率(lv)顯(xian)卡(ka);主動(dong)式(shi)(shi)有散熱(re)(re)片和風扇,適合(he)高(gao)頻(pin)率(lv)顯(xian)卡(ka);導流式(shi)(shi)適合(he)高(gao)檔游戲顯(xian)卡(ka)。