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1、顯(xian)卡(ka)芯(xin)片：顯(xian)卡(ka)核心(xin)型號(hao)差一(yi)(yi)檔(dang)，性(xing)能也就差了一(yi)(yi)檔(dang)，所以可根(gen)據核心(xin)型號(hao)來判斷顯(xian)卡(ka)的高低，例如，N卡(ka)型號(hao)的前綴一(yi)(yi)共有GTX > GTS > GT > GF，其后(hou)的兩位數(shu)或一(yi)(yi)位數(shu)代表代數(shu)，再其后(hou)兩位數(shu)越(yue)大，表示同代中的性(xing)能就越(yue)強，后(hou)綴有Ti、SE、M、MX，分別表示加強版(ban)、閹割(ge)版(ban)、移(yi)動(dong)版(ban)、移(yi)動(dong)加強版(ban)。

2、流(liu)處(chu)(chu)理器：流(liu)處(chu)(chu)理器是(shi)顯(xian)卡的核心，直接影響處(chu)(chu)理能(neng)力，對于N卡和A卡來說，流(liu)處(chu)(chu)理單元個(ge)(ge)數越多則處(chu)(chu)理能(neng)力越強(qiang)。N卡和A卡的流(liu)處(chu)(chu)理單元可采取(qu)近(jin)似(si)比較，N卡的1個(ge)(ge)流(liu)處(chu)(chu)理單元相(xiang)當(dang)于AMD的5個(ge)(ge)流(liu)處(chu)(chu)理單元。

3、顯(xian)存(cun)位(wei)寬：顯(xian)存(cun)位(wei)寬表示一個時(shi)鐘周期內(nei)所能(neng)傳(chuan)送(song)數據的位(wei)數，位(wei)數越大則(ze)傳(chuan)輸量越大，常見(jian)的有(you)64位(wei)、128位(wei)和(he)256位(wei)顯(xian)卡。在(zai)顯(xian)存(cun)頻率相(xiang)當情(qing)況下，顯(xian)存(cun)位(wei)寬決定著(zhu)帶寬的大小。

4、顯存(cun)類型(xing)：顯存(cun)類型(xing)主要(yao)有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆粒(li)主要(yao)應用在低端顯卡上，頻率(lv)一般不超過200MHz；DDR SDRAM是主流；DDR SGRAM適(shi)合繪圖(tu)專用。

5、散(san)熱(re)設計(ji)：散(san)熱(re)系(xi)統的好(hao)壞直接(jie)決定(ding)(ding)了性(xing)能發(fa)揮的穩定(ding)(ding)性(xing)，被動(dong)式噪音低，適(shi)合低頻率(lv)顯(xian)(xian)卡；主動(dong)式有(you)散(san)熱(re)片和風扇，適(shi)合高(gao)頻率(lv)顯(xian)(xian)卡；導(dao)流式適(shi)合高(gao)檔游戲顯(xian)(xian)卡。