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1、顯卡(ka)(ka)芯片(pian)：顯卡(ka)(ka)核(he)心型(xing)號(hao)差一(yi)(yi)檔(dang)，性(xing)能(neng)也就(jiu)差了一(yi)(yi)檔(dang)，所以可(ke)根(gen)據核(he)心型(xing)號(hao)來判斷(duan)顯卡(ka)(ka)的(de)高低，例如，N卡(ka)(ka)型(xing)號(hao)的(de)前(qian)綴一(yi)(yi)共有(you)GTX > GTS > GT > GF，其后的(de)兩(liang)位(wei)(wei)數(shu)或一(yi)(yi)位(wei)(wei)數(shu)代(dai)表(biao)代(dai)數(shu)，再其后兩(liang)位(wei)(wei)數(shu)越大，表(biao)示同代(dai)中的(de)性(xing)能(neng)就(jiu)越強，后綴有(you)Ti、SE、M、MX，分別表(biao)示加(jia)強版(ban)(ban)、閹割版(ban)(ban)、移動(dong)版(ban)(ban)、移動(dong)加(jia)強版(ban)(ban)。

2、流(liu)(liu)處(chu)理(li)器：流(liu)(liu)處(chu)理(li)器是(shi)顯卡(ka)的核心，直(zhi)接影響(xiang)處(chu)理(li)能力，對于N卡(ka)和A卡(ka)來說，流(liu)(liu)處(chu)理(li)單元個(ge)(ge)數越多(duo)則處(chu)理(li)能力越強。N卡(ka)和A卡(ka)的流(liu)(liu)處(chu)理(li)單元可采取近似比(bi)較，N卡(ka)的1個(ge)(ge)流(liu)(liu)處(chu)理(li)單元相當于AMD的5個(ge)(ge)流(liu)(liu)處(chu)理(li)單元。

3、顯存位(wei)(wei)寬(kuan)：顯存位(wei)(wei)寬(kuan)表示一個時鐘周期內所(suo)能傳送(song)數(shu)據的位(wei)(wei)數(shu)，位(wei)(wei)數(shu)越大則(ze)傳輸量越大，常(chang)見的有64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和(he)256位(wei)(wei)顯卡(ka)。在(zai)顯存頻率相當情況下，顯存位(wei)(wei)寬(kuan)決(jue)定著帶(dai)寬(kuan)的大小。

4、顯(xian)(xian)存類型：顯(xian)(xian)存類型主(zhu)要(yao)有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種(zhong)，SDRAM顆粒主(zhu)要(yao)應用在(zai)低端顯(xian)(xian)卡上，頻率一般不超過200MHz；DDR SDRAM是主(zhu)流；DDR SGRAM適合繪圖專用。

5、散熱(re)設(she)計：散熱(re)系統的好壞直接決(jue)定了(le)性能發揮的穩定性，被(bei)動式(shi)噪音低(di)，適(shi)合(he)低(di)頻率顯卡；主動式(shi)有散熱(re)片(pian)和風(feng)扇，適(shi)合(he)高(gao)頻率顯卡；導流式(shi)適(shi)合(he)高(gao)檔游(you)戲顯卡。