1、顯(xian)卡芯片:顯(xian)卡核(he)心(xin)型(xing)號差一檔,性能(neng)也就差了一檔,所以可(ke)根據核(he)心(xin)型(xing)號來判斷顯(xian)卡的(de)高低,例如,N卡型(xing)號的(de)前(qian)綴(zhui)一共(gong)有(you)GTX > GTS > GT > GF,其后的(de)兩位數或一位數代表代數,再(zai)其后兩位數越大,表示同代中的(de)性能(neng)就越強(qiang),后綴(zhui)有(you)Ti、SE、M、MX,分別表示加強(qiang)版、閹割(ge)版、移動版、移動加強(qiang)版。
2、流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)器(qi):流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)器(qi)是(shi)顯卡(ka)(ka)的(de)核心,直(zhi)接影(ying)響處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)能力(li)(li),對于N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)來說(shuo),流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元個數越多則處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)能力(li)(li)越強。N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)的(de)流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元可采取近似比較,N卡(ka)(ka)的(de)1個流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元相當于AMD的(de)5個流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元。
3、顯(xian)存(cun)位(wei)寬(kuan):顯(xian)存(cun)位(wei)寬(kuan)表示一個時鐘(zhong)周期內所(suo)能傳送(song)數據的位(wei)數,位(wei)數越(yue)大(da)則傳輸量越(yue)大(da),常見的有64位(wei)、128位(wei)和(he)256位(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻率相當情況下(xia),顯(xian)存(cun)位(wei)寬(kuan)決定著帶寬(kuan)的大(da)小。
4、顯存(cun)類(lei)型:顯存(cun)類(lei)型主(zhu)要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒主(zhu)要應用(yong)在低端顯卡(ka)上,頻率(lv)一般不(bu)超(chao)過(guo)200MHz;DDR SDRAM是主(zhu)流;DDR SGRAM適合繪(hui)圖專(zhuan)用(yong)。
5、散熱設計:散熱系(xi)統的好壞(huai)直接決定了性能發揮的穩定性,被動式(shi)噪音低,適(shi)合(he)(he)低頻率(lv)(lv)顯卡;主動式(shi)有(you)散熱片和風扇,適(shi)合(he)(he)高(gao)頻率(lv)(lv)顯卡;導流式(shi)適(shi)合(he)(he)高(gao)檔游戲顯卡。