一、硅片清洗工藝步驟有哪些
吸(xi)附在硅(gui)片表(biao)(biao)面上(shang)的雜(za)(za)質(zhi)(zhi)可分為(wei)分子(zi)(zi)型(xing)(xing)、離(li)子(zi)(zi)型(xing)(xing)和(he)原子(zi)(zi)型(xing)(xing)三種情況(kuang)。其中分子(zi)(zi)型(xing)(xing)雜(za)(za)質(zhi)(zhi)與硅(gui)片表(biao)(biao)面之間的吸(xi)附力較弱，清(qing)除這類(lei)雜(za)(za)質(zhi)(zhi)粒子(zi)(zi)比較容(rong)易。它們(men)多屬油(you)脂類(lei)雜(za)(za)質(zhi)(zhi)，具(ju)(ju)有(you)疏水性的特點(dian)，對于清(qing)除離(li)子(zi)(zi)型(xing)(xing)和(he)原子(zi)(zi)型(xing)(xing)雜(za)(za)質(zhi)(zhi)具(ju)(ju)有(you)掩蔽作(zuo)用。
因此在對硅片進行化學(xue)清洗(xi)時，首(shou)先應(ying)該(gai)把它們(men)清除干凈。離子(zi)型(xing)和原子(zi)型(xing)吸附的(de)雜質屬(shu)于化學(xue)吸附雜質，其吸附力都較強。
在(zai)一般情(qing)況下，原(yuan)子(zi)(zi)型吸附雜(za)質(zhi)的(de)量較(jiao)小，因(yin)此在(zai)化學清洗時，先(xian)清除(chu)掉離(li)子(zi)(zi)型吸附雜(za)質(zhi)，然后(hou)再清除(chu)殘存的(de)離(li)子(zi)(zi)型雜(za)質(zhi)及原(yuan)子(zi)(zi)型雜(za)質(zhi)。
最后用高純去離子(zi)水將硅片沖冼干(gan)凈，再加溫烘干(gan)或(huo)甩干(gan)就可得到(dao)潔凈表面的硅片。
綜上所述，清洗硅片的一般工藝程序為：去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。另(ling)外(wai)，為去除硅(gui)片表面的氧化層，常要(yao)增加(jia)一個(ge)稀(xi)氫氟酸浸泡步驟。
二、硅片清洗后有水印怎么辦
1、沖洗(xi)不(bu)干(gan)凈，可以拿(na)一(yi)些干(gan)凈的硅(gui)片再重新(xin)清(qing)洗(xi)一(yi)次(ci)，不(bu)要(yao)過清(qing)洗(xi)劑槽(cao)，看(kan)是(shi)否有(you)水印(yin)出現(xian)，若無(wu)，則(ze)是(shi)清(qing)洗(xi)劑的問題，調整(zheng)即(ji)可。
2、烘(hong)干(gan)不(bu)夠，將硅片在進入烘(hong)干(gan)通(tong)道前取出甩干(gan)或吹干(gan)，看是(shi)否有水印，如無，則是(shi)加大烘(hong)干(gan)通(tong)道的力度(du)。
3、水中雜質含(han)量過高，造成不(bu)易清洗，清除(chu)水中的雜質即可。
