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硅片清洗工藝步驟有哪些 硅片清洗后有水印怎么辦

本文章由注冊用戶 淺嘗不止— 上傳提供 2023-07-20 評論 0
摘要:在硅晶體管和集成電路生產中,幾乎每道工序都有硅片清洗的問題,硅片清洗的好壞對器件性能有嚴重的影響,處理不當,可能使全部硅片報廢,做不出管子來,或者制造出來的器件性能低劣,穩定性和可靠性很差。硅片清洗法不管是對于從硅片加工的人還是對于從事半導體器件生產的人來說都有著重要的意義。那么硅片清洗工藝步驟有哪些以及硅片清洗后有水印怎么辦呢?一起到文中尋找答案吧!

一、硅片清洗工藝步驟有哪些

吸(xi)附在硅(gui)片表(biao)面上的(de)雜(za)(za)質可分為分子型(xing)、離子型(xing)和(he)原(yuan)子型(xing)三(san)種情況。其中分子型(xing)雜(za)(za)質與硅(gui)片表(biao)面之間的(de)吸(xi)附力較(jiao)弱,清(qing)除這類雜(za)(za)質粒子比(bi)較(jiao)容易。它們(men)多屬油脂類雜(za)(za)質,具有疏(shu)水性的(de)特點(dian),對于清(qing)除離子型(xing)和(he)原(yuan)子型(xing)雜(za)(za)質具有掩蔽作用。

因此在對硅片進行化(hua)學清洗時,首先應該(gai)把它們(men)清除干凈。離子型和原(yuan)子型吸附(fu)的雜(za)質屬于化(hua)學吸附(fu)雜(za)質,其吸附(fu)力都較強。

在一(yi)般(ban)情況下,原子型吸(xi)附雜(za)(za)質的量較小,因此在化學清洗時(shi),先清除(chu)掉離子型吸(xi)附雜(za)(za)質,然后再清除(chu)殘存的離子型雜(za)(za)質及(ji)原子型雜(za)(za)質。

最后用高純去離子水(shui)將硅(gui)片沖冼干凈(jing),再加溫烘干或甩干就可得到潔凈(jing)表面的硅(gui)片。

綜上所述,清洗硅片的一般工藝程序為:去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。另外(wai),為去除硅片表面的氧化層,常要增加一個稀氫氟酸浸泡步驟(zou)。

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二、硅片清洗后有水印怎么辦

1、沖(chong)洗(xi)不干(gan)(gan)凈,可以拿一些干(gan)(gan)凈的硅片再重新清(qing)洗(xi)一次(ci),不要(yao)過清(qing)洗(xi)劑(ji)(ji)槽(cao),看是否(fou)有水(shui)印出(chu)現,若無(wu),則是清(qing)洗(xi)劑(ji)(ji)的問題(ti),調整即可。

2、烘(hong)干(gan)(gan)不夠,將(jiang)硅片在進入烘(hong)干(gan)(gan)通道(dao)前(qian)取(qu)出甩干(gan)(gan)或吹干(gan)(gan),看是否有(you)水印,如無,則是加大烘(hong)干(gan)(gan)通道(dao)的力度。

3、水中(zhong)雜質(zhi)含量過高,造成不(bu)易清洗(xi),清除水中(zhong)的雜質(zhi)即(ji)可。

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