一、硅片清洗工藝步驟有哪些
吸附在硅(gui)片表面(mian)(mian)上的雜(za)質(zhi)可分為分子(zi)(zi)型(xing)(xing)(xing)、離(li)子(zi)(zi)型(xing)(xing)(xing)和原子(zi)(zi)型(xing)(xing)(xing)三種情況。其(qi)中分子(zi)(zi)型(xing)(xing)(xing)雜(za)質(zhi)與(yu)硅(gui)片表面(mian)(mian)之間的吸附力(li)較(jiao)弱，清除這類雜(za)質(zhi)粒子(zi)(zi)比較(jiao)容易。它們多屬油脂類雜(za)質(zhi)，具有疏水性的特點，對于清除離(li)子(zi)(zi)型(xing)(xing)(xing)和原子(zi)(zi)型(xing)(xing)(xing)雜(za)質(zhi)具有掩蔽作用(yong)。
因此在對硅片進(jin)行化(hua)學清洗時，首先應(ying)該(gai)把它們清除干(gan)凈。離子型(xing)和原子型(xing)吸附的雜質屬于化(hua)學吸附雜質，其吸附力都較(jiao)強。
在一般情況下，原子型(xing)(xing)吸(xi)附(fu)雜(za)(za)質的(de)量(liang)較小，因(yin)此在化學清(qing)洗時，先清(qing)除掉離(li)子型(xing)(xing)吸(xi)附(fu)雜(za)(za)質，然后再清(qing)除殘存的(de)離(li)子型(xing)(xing)雜(za)(za)質及原子型(xing)(xing)雜(za)(za)質。
最(zui)后用(yong)高(gao)純去離(li)子(zi)水將硅片沖冼干(gan)凈，再加溫烘干(gan)或甩干(gan)就可得(de)到潔凈表面的硅片。
綜上所述，清洗硅片的一般工藝程序為：去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。另外，為去除硅片表面(mian)的氧化層，常要增(zeng)加一個稀氫氟酸浸(jin)泡步驟。
二、硅片清洗后有水印怎么辦
1、沖(chong)洗不(bu)干(gan)凈，可以拿一些干(gan)凈的硅片再重新清(qing)洗一次(ci)，不(bu)要過清(qing)洗劑槽(cao)，看(kan)是否有水印出現，若無，則(ze)是清(qing)洗劑的問題，調整即(ji)可。
2、烘(hong)干不夠，將(jiang)硅片在進入(ru)烘(hong)干通道前取出甩干或吹干，看(kan)是(shi)否有水印，如無，則是(shi)加(jia)大烘(hong)干通道的力(li)度。
3、水中雜(za)質(zhi)含(han)量過高，造成不易(yi)清(qing)洗(xi)，清(qing)除水中的雜(za)質(zhi)即可。
