一、硅片清洗工藝步驟有哪些
吸附在(zai)硅片表面上的雜(za)(za)(za)質可分(fen)為分(fen)子(zi)(zi)(zi)型(xing)、離子(zi)(zi)(zi)型(xing)和原子(zi)(zi)(zi)型(xing)三種情況。其中分(fen)子(zi)(zi)(zi)型(xing)雜(za)(za)(za)質與硅片表面之間的吸附力(li)較弱，清除這(zhe)類雜(za)(za)(za)質粒子(zi)(zi)(zi)比較容易(yi)。它們(men)多屬油脂類雜(za)(za)(za)質，具有(you)疏(shu)水性的特點，對于清除離子(zi)(zi)(zi)型(xing)和原子(zi)(zi)(zi)型(xing)雜(za)(za)(za)質具有(you)掩蔽作用。
因此在對硅片進行化學(xue)清洗時，首先(xian)應該(gai)把它們清除干凈。離子(zi)型(xing)和原(yuan)子(zi)型(xing)吸附的雜質屬于(yu)化學(xue)吸附雜質，其吸附力都(dou)較強。
在一般情況下(xia)，原(yuan)子(zi)型吸附雜質的(de)量較小，因此在化學清(qing)洗時，先清(qing)除掉離子(zi)型吸附雜質，然后再清(qing)除殘存的(de)離子(zi)型雜質及(ji)原(yuan)子(zi)型雜質。
最后用(yong)高(gao)純(chun)去(qu)離子水將硅片沖冼干(gan)凈，再加溫烘干(gan)或甩干(gan)就可(ke)得到潔凈表(biao)面的硅片。
綜上所述，清洗硅片的一般工藝程序為：去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。另外，為去(qu)除(chu)硅片表(biao)面的氧化層(ceng)，常(chang)要增加一(yi)個(ge)稀氫氟酸(suan)浸泡步(bu)驟。
二、硅片清洗后有水印怎么辦
1、沖洗(xi)不干(gan)凈，可(ke)以拿一些干(gan)凈的硅片再重新清洗(xi)一次，不要過清洗(xi)劑槽(cao)，看是否(fou)有水印出現，若(ruo)無(wu)，則是清洗(xi)劑的問題，調(diao)整即可(ke)。
2、烘干不(bu)夠，將硅片在進入烘干通(tong)道前(qian)取出甩(shuai)干或吹干，看是否(fou)有(you)水印，如無，則是加大(da)烘干通(tong)道的力度。
3、水中(zhong)雜質含量(liang)過高，造成不(bu)易(yi)清(qing)洗，清(qing)除水中(zhong)的雜質即(ji)可。
