一、硅片清洗工藝步驟有哪些
吸附在硅片表面(mian)上的雜(za)(za)質(zhi)可分(fen)為分(fen)子型(xing)(xing)、離子型(xing)(xing)和原子型(xing)(xing)三種情況。其中分(fen)子型(xing)(xing)雜(za)(za)質(zhi)與硅片表面(mian)之間的吸附力較弱，清除(chu)這類(lei)(lei)雜(za)(za)質(zhi)粒子比(bi)較容易。它們多屬油(you)脂類(lei)(lei)雜(za)(za)質(zhi)，具(ju)有疏(shu)水性的特(te)點，對于清除(chu)離子型(xing)(xing)和原子型(xing)(xing)雜(za)(za)質(zhi)具(ju)有掩(yan)蔽作用。
因此在對硅片進行(xing)化學清洗(xi)時，首先應(ying)該把它們清除干凈。離子型和原子型吸附的(de)雜質屬于化學吸附雜質，其吸附力都較(jiao)強。
在一般情況(kuang)下，原子(zi)(zi)型(xing)吸(xi)附(fu)雜質(zhi)(zhi)(zhi)的量較小，因(yin)此(ci)在化學清洗(xi)時，先清除(chu)掉離子(zi)(zi)型(xing)吸(xi)附(fu)雜質(zhi)(zhi)(zhi)，然(ran)后再(zai)清除(chu)殘存的離子(zi)(zi)型(xing)雜質(zhi)(zhi)(zhi)及原子(zi)(zi)型(xing)雜質(zhi)(zhi)(zhi)。
最后用高純(chun)去(qu)離(li)子水將硅(gui)片(pian)沖(chong)冼(xian)干(gan)凈(jing)，再加(jia)溫(wen)烘(hong)干(gan)或甩干(gan)就可得到潔凈(jing)表面的硅(gui)片(pian)。
綜上所述，清洗硅片的一般工藝程序為：去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。另外，為去除(chu)硅片表面的氧化層，常要增加(jia)一個稀(xi)氫氟酸(suan)浸泡步(bu)驟。
二、硅片清洗后有水印怎么辦
1、沖洗(xi)(xi)(xi)不(bu)干凈，可(ke)(ke)以拿一些干凈的硅(gui)片再重新清(qing)洗(xi)(xi)(xi)一次(ci)，不(bu)要(yao)過清(qing)洗(xi)(xi)(xi)劑槽，看是否有(you)水印(yin)出現，若(ruo)無，則是清(qing)洗(xi)(xi)(xi)劑的問題，調整即可(ke)(ke)。
2、烘(hong)干(gan)(gan)不夠，將硅片在(zai)進入(ru)烘(hong)干(gan)(gan)通(tong)(tong)道前取出(chu)甩(shuai)干(gan)(gan)或吹干(gan)(gan)，看是(shi)否有(you)水印，如無，則(ze)是(shi)加(jia)大(da)烘(hong)干(gan)(gan)通(tong)(tong)道的力度(du)。
3、水(shui)中雜質(zhi)含量(liang)過(guo)高，造成(cheng)不易(yi)清洗，清除水(shui)中的雜質(zhi)即可。
